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          IR推出全新直流總線轉換器芯片組

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首個直流總線轉換器芯片組系列,重新定義用于電信及網絡系統(tǒng)的48V輸入、150W基板安裝功率轉換器的分布式電源架構。IR的直流總線轉換器芯片組架構為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準,能在小于1.7平方英寸電路占位上,于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業(yè)界標準的四分一磚設計相比,該芯片組能節(jié)省53%的體積,并可將隔離式轉換器的元件數(shù)目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
          • 關鍵字: IR  

          IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率,并能提高功率輸出,適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數(shù)目,節(jié)省了電路空間
          • 關鍵字: IR  

          IR推出性能經改良的電子繼電器

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比,新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍,器件通態(tài)電阻低出1/4,因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器,大大增加了操作壽命及可靠性,且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能,還能實現(xiàn)更低起動電流,以及高水平抗沖擊與振動性能,有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富
          • 關鍵字: IR  繼電器  

          IR公布2003財年第四季度業(yè)績

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 公布2003財年第四季度業(yè)績,季內營業(yè)收益為2.284億美元,不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支,模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元),營業(yè)收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后,IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業(yè)收益在預定指標上端,比上季度增加超過6%,比去年同
          • 關鍵字: IR  

          IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅動器設計且節(jié)能

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A,全面簡化變速電子電機控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗,并專為750W至1.2kW變速電機驅動應用而設計,如室內空調系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列一部分,將一個三相逆變器功率平臺、柵驅動器和輔助電路結合在小巧的高性能絕緣型封裝
          • 關鍵字: IR  模塊  

          IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅動器性能

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak),絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝,采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能,有助降低傳導損耗,卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C,標準工作范圍比同類產品高出20%。另外,它們
          • 關鍵字: IR  封裝  

          IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率,并能提高功率輸出,適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數(shù)目,節(jié)省了電路空間
          • 關鍵字: IR  

          IR推出性能經改善良的電子繼電器

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比,新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍,器件通態(tài)電阻低出1/4,因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器,大大增加了操作壽命及可靠性,且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能,還能實現(xiàn)更低起動電流,以及高水平抗沖擊與振動性能,有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國
          • 關鍵字: IR  繼電器  

          IR為交錯降壓直流-直流轉換器推出XPhase可擴展性多相架構

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構,適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路,可提供超出CPU電壓調節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案,適用于服務器和高端臺式電腦內最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅動有限相位的多相方案,它提供可擴展的多相設計,滿足先進CPU瞬息萬
          • 關鍵字: IR  

          IR推出專攻高頻開關電源應用的經濟型大功率150kHz IGBT

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT,額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關斷性能經特別改良,適用于電信和服務器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比,提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝,性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監(jiān)
          • 關鍵字: IR  模擬IC  電源  

          IR推出多用途80V MOSFET

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達80V,可用作隔離式直流-直流轉換器中的原邊和付邊MOSFET,專攻網絡通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領域。作為原邊MOSFET時,IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓,因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比,其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶,使設計更加堅固耐用。IR中國
          • 關鍵字: IR  

          IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新MTP隔離式開關模塊系列,它們以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V,它們把高速IGBT和優(yōu)化的二極管結合在同一封裝內,有助節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源 (UPS)。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富先生
          • 關鍵字: IR  模塊  

          IR推出可替代機電式繼電器的300V MOSFET功率器件

          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新產品IRF3000。它是一個300V、N溝道HEXFET功率MOSFET,用于取代多種電信及網絡應用中的機電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導體,無機械部分,故可提高整體系統(tǒng)可靠性,且體積比機電式繼電器低30%之多。IRF3000比機電式繼電器更具效率,導通電阻比機械繼電器低90%以上,最大限度地減低了傳導損耗。新器件的柵電荷極低,可最大程度減低開關損耗。IRF3000比繼電器更易驅動,有助簡化電路設計并降低整體
          • 關鍵字: IR  繼電器  

          IR披露最高集成度智能功率模塊

          • 國際整流器公司 (International Rectifier)披露首個iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM),在單一封裝內將功率平臺整合到嵌入式驅動器板上,納入一個可編程數(shù)字信號處理器。新器件型號為PIIPM50P12B004,額定值為1200V和50A,具備電流傳感、隔離、柵驅動器及功率平臺保護功能,可直接與電機驅動器主機及輸入平臺接口,方案內設有基本應用指令集及開發(fā)工具,效率高、堅固耐用,噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz,提供平直的安全操作區(qū),融合了IGBT技術,采用EMP封
          • 關鍵字: IR  模塊  

          IR推出更小的集成式開關(6.29)

          •   功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出高效、低成本強化集成開關IRIS系列,將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結合在單一封裝內,可簡化電路設計,減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開關電源的分立電路相比,效率相同,甚至更佳。   全新IRIS集成開關系列將一個低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個雙電壓及電流控制集成電路結合在單一封裝內,適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關電源的反激變換技術。  
          • 關鍵字: IR  模擬IC  電源  
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