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美國(guó)周二表示，已經(jīng)撤銷(xiāo)了許可證，禁止公司向被制裁的華為等公司運(yùn)輸芯片

據(jù)一名知情人士透露，一些公司在周二收到通知，稱他們的許可證立即被撤銷(xiāo)。此舉是在上個(gè)月華為發(fā)布了首款A(yù)I功能筆記本電腦MateBook X Pro之后采取的。該電腦由英特爾（INTC.O）新推出的Core Ultra 9處理器提供動(dòng)力。筆記本電腦的推出引發(fā)了共和黨議員的抨擊，他們稱這表明美國(guó)商務(wù)部已經(jīng)向英特爾發(fā)出了向華為出售芯片的許可證。商務(wù)部在一份聲明中表示：“我們已經(jīng)撤銷(xiāo)了一些出口至華為的許可證?！痹摬块T(mén)拒絕具體說(shuō)明已撤銷(xiāo)了哪些許可證。此舉首次由路透社報(bào)道，此前，共和黨的中國(guó)鷹派議員一直在施加壓力，敦促
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺(tái)XS018（180納米）上開(kāi)放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì)再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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高通驍龍 X Elite 芯片初上手：跑分亮眼、功耗優(yōu)異、AI 性能出色

4 月 8 日消息，國(guó)外科技媒體 Windows Latest 幾周前受邀前往高通位于圣迭戈的總部，親身體驗(yàn)了驍龍 X Elite 平臺(tái)產(chǎn)品，在最新博文中分享了跑分、游戲?qū)崪y(cè)和 NPU 性能等相關(guān)信息。跑分該媒體使用 3D Mark、Jetstream 等軟件進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試，IT之家基于該媒體報(bào)道，附上 23W 驍龍 X Elite 處理器（系統(tǒng)瓦數(shù)，而非封裝瓦數(shù)）和英特爾酷睿 Ultra 7 155H 處理器的跑分對(duì)比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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IBM + X-POWER + 源卓微納：以AI會(huì)友，共創(chuàng)制造業(yè)智能化故事2.0

"極致數(shù)字化"的時(shí)代已然拉開(kāi)帷幕，全新水平的復(fù)雜數(shù)據(jù)和生成式 AI 的"化學(xué)效應(yīng)"，正在加速提升自動(dòng)化工作流的智能水平，幫助企業(yè)擁有更廣泛且有競(jìng)爭(zhēng)力的業(yè)務(wù)影響，同時(shí)通過(guò)實(shí)時(shí)洞察和決策來(lái)加速和擴(kuò)展企業(yè)內(nèi)部數(shù)字化轉(zhuǎn)型的議程。據(jù)IBM 商業(yè)價(jià)值研究院近期針對(duì)全球范圍內(nèi)2,000 多名首席級(jí)高管開(kāi)展的一項(xiàng)AI和自動(dòng)化調(diào)研的洞察報(bào)告顯示，在生成式 AI 采用和數(shù)據(jù)主導(dǎo)式創(chuàng)新領(lǐng)域處于前沿的企業(yè)已經(jīng)收獲了巨大的回報(bào)，其年凈利潤(rùn)要比其他組織高出 72%，年收入增長(zhǎng)率要高出
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X-FAB推出針對(duì)近紅外應(yīng)用的新一代增強(qiáng)性能SPAD器件

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺(tái)。得益于在制造過(guò)程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí)，顯著增強(qiáng)信號(hào)，而且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負(fù)面影響。X-FAB通過(guò)推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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艾邁斯歐司朗攜手立功科技與Enabot,推出智能機(jī)器人EBO X

●? ?TMF8821可輸出多個(gè)點(diǎn)距離值，具有避障、防跌落和輔助建圖功能；●? ?TMF8821卓越的測(cè)距性能與出色的抗陽(yáng)光干擾能力，能夠在各種光照環(huán)境下實(shí)現(xiàn)可靠檢測(cè)；●? ?TMF8821產(chǎn)線校準(zhǔn)方式簡(jiǎn)單，只需一次底噪校準(zhǔn)就可完成；●? ?立功科技提供算法技術(shù)支持，優(yōu)化功能效果。EBO X智能機(jī)器人全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗近日宣布，通過(guò)與立功科技合作，攜手家庭機(jī)器人供應(yīng)商Enabot成功推出AI智能陪伴機(jī)器人
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Anthropic將部署谷歌新一代TPU芯片

據(jù)世界半導(dǎo)體技術(shù)論壇官微消息，近日，谷歌宣布，將擴(kuò)大與 Anthropic 的合作伙伴關(guān)系，致力于實(shí)現(xiàn)人工智能安全的最高標(biāo)準(zhǔn)，并且 Anthropic 將利用谷歌最新一代的，用于人工智能推理的 Cloud TPU v5e 芯片。據(jù)悉，在宣布了雙方的新合作后，Anthropic 成為首批大規(guī)模部署 TPU v5e 的公司之一，TPU v5e 是 Google Cloud 迄今為止最通用、最高效且可擴(kuò)展的 AI 加速器。TPU v5e現(xiàn)已全面上市，使 Anthropic 能夠以高性能且高效的方式為其 Clau
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X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項(xiàng)

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展——X-FAB在2018年基于其先進(jìn)工藝XA035推出針對(duì)穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現(xiàn)又在此平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對(duì)半導(dǎo)體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更加靈活，從而應(yīng)對(duì)可再生能源、EV動(dòng)力系統(tǒng)、工廠自動(dòng)化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機(jī)遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點(diǎn)，非常適合制造車(chē)用傳感器和高壓工
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高通驍龍 X Elite 處理器發(fā)布：支持 Win12，可本地運(yùn)行 130 億參數(shù) AI 大模型

IT之家?10 月 25 日消息，2023 的高通峰會(huì)現(xiàn)在正式開(kāi)始，高通推出的第一款產(chǎn)品就是為 PC 產(chǎn)品設(shè)計(jì)的全新驍龍 X 平臺(tái)，其旗艦產(chǎn)品命名為“驍龍 X Elite”。驍龍 X Elite 采用定制 Oryon CPU，基于 4nm 工藝打造，采用 12 顆 3.8GHz 大核，支持雙核睿頻至 4.3GHz，內(nèi)存帶寬 136GB/s，緩存總數(shù) 42MB。IT之家匯總驍龍 X Elite 規(guī)格如下：規(guī)格CPUQualcomm Oryon CPU，64 位架構(gòu)，12 核，最高 3.8 GHz，
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DDR5時(shí)代來(lái)臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今，無(wú)論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
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全球首個(gè)，華為重磅發(fā)布！事關(guān)5G

據(jù)華為官方微信號(hào)10月11日消息，2023全球移動(dòng)寬帶論壇（Global MBB Forum 2022）期間，華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌重磅發(fā)布了全新一代5G室內(nèi)數(shù)字化產(chǎn)品解決方案LampSite X系列，助力運(yùn)營(yíng)商打開(kāi)商業(yè)新空間，加快邁向數(shù)智化新時(shí)代。楊超斌表示：“LampSite X將5G-A極致能力首次帶入室內(nèi)場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)室內(nèi)數(shù)字化全面升級(jí)：以最小體積、最輕重量、最簡(jiǎn)部署、最低能耗實(shí)現(xiàn)萬(wàn)兆體驗(yàn)和多維能力升級(jí)，滿足消費(fèi)者更極致的室內(nèi)體驗(yàn)需求，釋放千行百業(yè)更強(qiáng)大的數(shù)字生產(chǎn)力?！比A為無(wú)線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)
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X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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特斯拉季末沖擊銷(xiāo)量！Model S/X美國(guó)市場(chǎng)降價(jià)8000美元，外加3年免費(fèi)充電

6月19日消息，作為季度末促銷(xiāo)活動(dòng)的一部分，特斯拉再次對(duì)某些庫(kù)存車(chē)型提供折扣，以尋求在第二季度結(jié)束前提振銷(xiāo)量。隨著季度末的臨近，特斯拉希望通過(guò)減少庫(kù)存來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，特斯拉會(huì)定期實(shí)施特殊折扣或激勵(lì)措施，以便在季度末之前清空庫(kù)存車(chē)輛。據(jù)外媒報(bào)道，特斯拉近日將Model X和Model S的售價(jià)都下調(diào)了8000美元，并為6月30日之前購(gòu)車(chē)的客戶提供三年免費(fèi)超級(jí)充電服務(wù)。特斯拉官網(wǎng)顯示，這些舉措意味著，客戶現(xiàn)在可以8.3萬(wàn)美元左右的價(jià)格買(mǎi)到2023年款特斯拉Model S，折扣金額為75
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X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化

中國(guó)北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開(kāi)展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺(tái)。在此過(guò)程中，模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項(xiàng)戰(zhàn)略倡議，旨在推
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X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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