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汽車芯片，有兩大好賽道

汽車的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體，車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個(gè)部分均有應(yīng)用，包括車身、儀表、底盤、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
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特斯拉季末沖擊銷量！Model S/X美國市場降價(jià)8000美元，外加3年免費(fèi)充電

6月19日消息，作為季度末促銷活動(dòng)的一部分，特斯拉再次對某些庫存車型提供折扣，以尋求在第二季度結(jié)束前提振銷量。隨著季度末的臨近，特斯拉希望通過減少庫存來實(shí)現(xiàn)更好的財(cái)務(wù)業(yè)績。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，特斯拉會(huì)定期實(shí)施特殊折扣或激勵(lì)措施，以便在季度末之前清空庫存車輛。據(jù)外媒報(bào)道，特斯拉近日將Model X和Model S的售價(jià)都下調(diào)了8000美元，并為6月30日之前購車的客戶提供三年免費(fèi)超級(jí)充電服務(wù)。特斯拉官網(wǎng)顯示，這些舉措意味著，客戶現(xiàn)在可以8.3萬美元左右的價(jià)格買到2023年款特斯拉Model S，折扣金額為75
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X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化

中國北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺(tái)。在此過程中，模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項(xiàng)戰(zhàn)略倡議，旨在推
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)，誰將受益？

“現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當(dāng)下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅(jiān)定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1
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EPC起訴英諾賽科，要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專利

案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的四項(xiàng)專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。這些專利涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
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積極塑造工業(yè)4.0數(shù)據(jù)空間：倍加福推出“Manufacturing-X”計(jì)劃

工業(yè)4.0的下一階段將是什么？通過“Manufacturing-X”計(jì)劃，工業(yè)4.0平臺(tái)正在創(chuàng)建一個(gè)跨越多個(gè)行業(yè)和公司的主權(quán)數(shù)據(jù)空間，旨在實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈上的多邊合作，并將數(shù)字價(jià)值的創(chuàng)造過程提升到新的水平。倍加福（Pepperl+Fuchs）通過參與工業(yè)4.0參考架構(gòu)模型（RAMI）的討論，為明確對工業(yè)4.0的理解做出了貢獻(xiàn)。如今，倍加福及其子公司Neoception將于2023年4月17日至21日在德國漢諾威工業(yè)博覽會(huì)（HANNOVER MESSE）上，展示“Manufacturing-X”的下一
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

近期，一眾國內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
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意法半導(dǎo)體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間

2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關(guān)管準(zhǔn)諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個(gè)尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計(jì)和其他工業(yè)應(yīng)用的開關(guān)式電源(SMPS)。?每個(gè)器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
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ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計(jì)增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車、小型電動(dòng)汽車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車和大功率無人機(jī)等應(yīng)用。EPC9186在每個(gè)開關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達(dá)200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器