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          基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風機解決方案

          • 近年來,最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯,大家的注意力也都集中在這些領域,但其實,有一個已經真正落地,大部分人都還沒注意到的應用——直流無刷電機(BLDC)市場正在悄然興起,而且成長迅速。根據市場公開的資料,2018年全球無刷直流電機的市場規(guī)模為153.6億美元,樂觀的市場研究機構預計未來五年,市場將會以13%的年復合增長率持續(xù)增長;當然也有機構認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%,還是13%的增長率,這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源,
          • 關鍵字: Richtek  RT7083GQW  MCU  Gate Driver  壁掛爐熱風機  

          SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

          • 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術,并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
          • 關鍵字: SK海力士  High-k  Metal Gate  

          怎樣利用信號平均技術消除噪聲干擾提升重復信號采樣的精準度

          • 許多高速數據采集應用,如激光雷達或光纖測試等,都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復信號,因此對于數據采集系統的設計來說,最大的挑戰(zhàn)就是如何最大限度地減少噪聲的影響。利用信號平均技術,可以讓您的測量測試系統獲取更加可靠的、更加有效的測試數據。
          • 關鍵字: 光纖測試  RAM  激光雷達  GATE  

          高速數傳中定時同步設計與FPGA實現

          • 摘要 文中對適用于高速突發(fā)通信的基于數字濾波平方的定時同步算法進行了研究。通過對在高速數據傳輸通信中,該定時同步環(huán)路的定時誤差估計模塊進行并行結構實現,大幅降低了系統對于時鐘的要求,且更加易于實現;將文
          • 關鍵字: 高速突發(fā)通信  定時同步  定時控制  Field Programmable Gate Array  

          傳三星正積極研究Gate-last工藝

          •   據消息來源透露,三星公司的芯片制造技術發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化,他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃,他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝,而在22nm制程則會轉向采用gate-last工藝。于此同時,三星芯片代工業(yè)務部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
          • 關鍵字: 三星  Gate-last  

          臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點將轉向Gate-last工藝

          •   去年夏季,一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定:他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據臺積電負責技術研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示,臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下,便讓我們在蔣尚義的介紹中,了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現計劃。   Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術,這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
          • 關鍵字: 臺積電  Gate-last  28nm   

          特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉入28nm

          •   新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝,明年上半年再進一步轉入28nm。   特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產線的試運行計劃,并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖,另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。   特許的28nm工藝并非獨立研發(fā),而是在其所處的IBM技術聯盟中獲取的,將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術以及Gate-first技術(Intel是Gate-last的堅定支持者)。   特許半導體2009年技術論壇將在臺灣新竹市
          • 關鍵字: 特許半導體  32nm  28nm  Gate-first  

          臺積電28納米明年1Q試產 迎擊IBM陣營

          •   臺積電28納米制程再邁大步,預計最快2010年第1季底進入試產,2011年明顯貢獻營收,臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單,目前28納米制程技術最大競爭對手,仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered),雙方競爭更趨激烈。   臺積電表示,已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術藍圖,預計2010年第3季進行試產,至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產
          • 關鍵字: 臺積電  28納米  gate-last  

          面向未來汽車應用的高可靠性創(chuàng)新半導體方案綜述

          共10條 1/1 1

          x-gate介紹

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