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          【電動(dòng)車和能效亮點(diǎn)】Verbund X Ventures投資Easelink的創(chuàng)新充電技術(shù)

          • Source:?Getty Images/Atiwat Studio奧地利能源企業(yè)Verbund的企業(yè)風(fēng)投部門Verbund X Ventures日前已向總部位于格拉茨,專門從事電動(dòng)汽車無(wú)線充電技術(shù)研發(fā)的高科技企業(yè)Easelink投資150萬(wàn)歐元。這筆投資旨在幫助Easelink擴(kuò)大其國(guó)際客戶數(shù)量,特別是加強(qiáng)與汽車制造商的合作,并推動(dòng)其矩陣充電技術(shù)成為全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。矩陣充電技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)傳導(dǎo)式充電,無(wú)需手動(dòng)連接線纜,傳輸效率達(dá)99%以上。Verbund X Ventures這一投資舉措標(biāo)志著
          • 關(guān)鍵字: Verbund X Ventures  Easelink  充電技術(shù)  

          融合大模型技術(shù),激發(fā)開發(fā)新動(dòng)力,IDE分論壇成功舉辦

          • 在當(dāng)今的數(shù)字化浪潮中,軟件開發(fā)是企業(yè)和組織技術(shù)架構(gòu)的核心部分。2024年10月12日,第三屆OpenHarmony技術(shù)大會(huì)的IDE分論壇在上海世博中心舉行。論壇聚焦于探討如何利用IDE工具技術(shù)提升OpenAtom OpenHarmony(以下簡(jiǎn)稱“OpenHarmony”)應(yīng)用的開發(fā)效率和軟件質(zhì)量,旨在構(gòu)建一個(gè)開放且前瞻性的以IDE為核心的軟件開發(fā)工具交流平臺(tái)。在本次分論壇中,與會(huì)嘉賓深入探討了應(yīng)用開發(fā)技術(shù)與工具的工程化解決方案,以及大模型技術(shù)與軟件開發(fā)工具的深度融合,以全面提升OpenHarmony應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 大模型  IDE  

          X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

          • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)——XS018上,現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇,強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中,兩款為響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管doafe和dobfpe,其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長(zhǎng)(全光譜)上均有所提升;另外還有兩款先進(jìn)的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
          • 關(guān)鍵字: X-FAB  光電二極管  傳感靈敏度  

          瑞薩三合一驅(qū)動(dòng)單元方案,助力電動(dòng)車輕盈啟航

          • 如今,電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過(guò)渡到集中式架構(gòu)。在傳統(tǒng)的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中,逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件往往采用分布式布局,各自獨(dú)立工作,通過(guò)復(fù)雜的線束相互連接。這種設(shè)計(jì)方式不僅繁雜笨重,且維護(hù)起來(lái)也異常復(fù)雜。在這種情況下,X-in-1技術(shù)應(yīng)用而生。X-in-1技術(shù)是一種動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的集成技術(shù),?旨在將多個(gè)動(dòng)力傳動(dòng)組件集成到單一的系統(tǒng)中,?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術(shù),瑞薩推出三合一電動(dòng)汽車單元解決方案,該方案將多個(gè)分布式系統(tǒng)集成到一個(gè)實(shí)體中,包括車載
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)器  電動(dòng)汽車  X-in-1  

          Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核

          • 一個(gè)名叫 Piglin 的人在中國(guó)百度平臺(tái)上發(fā)布了一張據(jù)稱是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是,芯片沒有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元 (NPU),高通認(rèn)為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣點(diǎn)。芯片拍攝的泄密者表明,12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點(diǎn),后者為 165.9 毫米^2。然而,應(yīng)該注意的是,高通的驍龍 X Elite 是采用臺(tái)積電
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          ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3

          • ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個(gè)月前,我們發(fā)布了這個(gè)軟件包的公開版,確保更多開發(fā)者能夠使用這個(gè)軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布,我們成為現(xiàn)在首批支持該標(biāo)準(zhǔn)最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中,值得一提的是能耗報(bào)告。顧名思義,這個(gè)功能可以讓設(shè)備更容易報(bào)告電能消耗情況,從而幫助用戶實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)能耗。另一個(gè)主要功能是間歇性連接設(shè)備,簡(jiǎn)稱ICD。簡(jiǎn)而言之,ICD功能可以讓 Matter 設(shè)備在特定間隔自動(dòng)打開網(wǎng)絡(luò)連接,與其他設(shè)備通信,當(dāng)客戶端設(shè)備不可
          • 關(guān)鍵字: 軟件包  X-CUBE-MATTER  

          萊迪思Avant-X:捍衛(wèi)數(shù)字前沿

          • 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)在當(dāng)今的眾多技術(shù)中發(fā)揮著重要作用。從航空航天和國(guó)防到消費(fèi)電子產(chǎn)品,再到關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車行業(yè),F(xiàn)PGA在我們生活中不斷普及。與此同時(shí)對(duì)FPGA器件的威脅也在不斷增長(zhǎng)。想要開發(fā)在FPGA上運(yùn)行(固件)的IP需要花費(fèi)大量資源,受這些FPGA保護(hù)的技術(shù)也是如此。這使得FPGA成為IP盜竊或破壞的潛在目標(biāo)。防止IP盜竊、客戶數(shù)據(jù)泄露和系統(tǒng)整體完整性所需的安全功能已經(jīng)不可或缺。它們是許多FPGA應(yīng)用的基礎(chǔ),在某些地區(qū)有相應(yīng)法律要求(例如,歐盟的GDPR、美國(guó)的HIPAA、英國(guó)的2018年
          • 關(guān)鍵字: 萊迪思  Avant-X  FPGA  

          基于Diodes AP43776Q+PI3DBS16222Q+PI3DPX1207Q的車載USB3.X和DP數(shù)據(jù)通信方案

          • 汽車的智能化不僅帶來(lái)了駕駛安全系數(shù)的提升,也豐富了車機(jī)的娛樂(lè)系統(tǒng),使大家有更好的、更便利的用車體驗(yàn)。在各種的座艙設(shè)計(jì)中,USB口作為一個(gè)傳統(tǒng)的車機(jī)外設(shè)接口,功能也一直不斷的在提升,主要體現(xiàn)在充電功率的增大、數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩鄻有院蛡鬏斔俣鹊脑黾樱汗β蕪?V/0.5A到60W、100W,數(shù)據(jù)從USB2.0升級(jí)為USB3.X、DP投屏等。功能的提升離不開硬件的支持,Diodes推出的AP43776Q+PI3DPX1207Q+PI3DBS16222Q方案,支持PD協(xié)議、USB3.1 Gen2 數(shù)據(jù)傳輸和DP投
          • 關(guān)鍵字: Diodes  AP43776Q  PI3DBS16222Q  PI3DPX1207Q  車載USB3.X  DP數(shù)據(jù)通信  

          高通驍龍 X Elite 芯片 PassMark 跑分:?jiǎn)魏随敲捞O果 M2,多核超 M4 芯片 3.7%

          • IT之家 6 月 26 日消息,根據(jù) PassMark 跑分?jǐn)?shù)據(jù),高通驍龍 X Elite 處理器(X1E-84-100)的單核成績(jī)?yōu)?3895 分,多核成績(jī)?yōu)?23272 分,跑分喜憂參半,單核成績(jī)媲美 M2,多核成績(jī)超過(guò) M4。CPU 單核高通驍龍 X Elite 處理器(X1E-84-100)的單核成績(jī)?yōu)?nbsp;3895 分,IT之家簡(jiǎn)要附上主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手跑分情況如下:蘋果的 M2 芯片(8 個(gè)內(nèi)核,3.48 GHz),得分 3922 分英特爾的酷
          • 關(guān)鍵字: 高通驍龍  X Elite  

          西門子推出基于瀏覽器的Zel-X集成式軟件

          • ●? ?西門子發(fā)布基于瀏覽器的云軟件,將制造、運(yùn)營(yíng)、協(xié)作、設(shè)計(jì)和仿真集成在統(tǒng)一的解決方案中●? ?Zel X可以根據(jù)工業(yè)特定的工作流程進(jìn)行定制,助力制造商加快數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前發(fā)布 Zel X?,這是一款基于瀏覽器的工程應(yīng)用程序,有助于簡(jiǎn)化制造和工廠運(yùn)營(yíng)流程。Zel X 將用于制造、運(yùn)營(yíng)、協(xié)作、設(shè)計(jì)和仿真的軟件整合成一個(gè)全面且輕量化的解決方案,通過(guò)瀏覽器即可實(shí)現(xiàn)操作,為用戶創(chuàng)造即刻價(jià)值。西門子數(shù)字化工業(yè)軟件Mainstream Engineeri
          • 關(guān)鍵字: 西門子  Zel-X  

          EasyScope X應(yīng)用案例之檢索平均波形數(shù)據(jù)

          • 波形平均是一種降低特定信號(hào)噪聲的有效方法。SIGLENT SDS系列示波器可以使用EasyScope X軟件輕松采集平均波形數(shù)據(jù)。注意:此時(shí),平均波形數(shù)據(jù)無(wú)法以CSV格式保存到通過(guò)前面板連接的U盤中。1、初始設(shè)置 - 如果您的計(jì)算機(jī)還沒有VISA庫(kù),請(qǐng)下載與您的操作系統(tǒng)匹配的NI-VISA Runtime Engine。它可以從National Instruments下載:http://bit.ly/2pw5gQW。- 安裝了VISA庫(kù)。這是EasyScope X軟件用于與儀器通信的通信庫(kù)。-
          • 關(guān)鍵字: EasyScope X  平均波形  

          X-Fab增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

          • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號(hào)和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE(X-Fab)日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造平臺(tái)的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示,該平臺(tái)現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件,可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)(安全工作區(qū))以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低,與此前版本相比降低
          • 關(guān)鍵字: X-Fab  180納米  高壓CMOS代工  

          X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

          • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái),增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA,提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比,此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%,為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案,基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊,支持-40°C
          • 關(guān)鍵字: X-FAB  180納米  高壓CMOS  代工  

          美國(guó)周二表示,已經(jīng)撤銷了許可證,禁止公司向被制裁的華為等公司運(yùn)輸芯片

          • 據(jù)一名知情人士透露,一些公司在周二收到通知,稱他們的許可證立即被撤銷。此舉是在上個(gè)月華為發(fā)布了首款A(yù)I功能筆記本電腦MateBook X Pro之后采取的。該電腦由英特爾(INTC.O)新推出的Core Ultra 9處理器提供動(dòng)力。筆記本電腦的推出引發(fā)了共和黨議員的抨擊,他們稱這表明美國(guó)商務(wù)部已經(jīng)向英特爾發(fā)出了向華為出售芯片的許可證。商務(wù)部在一份聲明中表示:“我們已經(jīng)撤銷了一些出口至華為的許可證?!痹摬块T拒絕具體說(shuō)明已撤銷了哪些許可證。此舉首次由路透社報(bào)道,此前,共和黨的中國(guó)鷹派議員一直在施加壓力,敦促
          • 關(guān)鍵字: MateBook X Pro  華為  AI  

          X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能

          • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求,X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺(tái)XS018(180納米)上開放了背照(BSI)功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝,成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì)再被后端工藝的金屬層所遮擋,從而大幅提升傳感器的填充比,最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度,因而在暗
          • 關(guān)鍵字: X-FAB  圖像傳感器  背照技術(shù)  CMOS傳感器  
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