- 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據等諸多優(yōu)點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統(tǒng)的設計中，經常要使用片外存儲器擴充系統(tǒng)存儲空間。特別是當DSP的片內數(shù)據存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分數(shù)據，如常量、原始數(shù)據庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內部
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方式 實現(xiàn) FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統(tǒng) 通過
- 基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產品的體積。FPGA的可編
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心電 監(jiān)控 應用 設計 FPGA 混合 Flash 構架 模數(shù) 基于
- Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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技術 編程 單片機 Flash
- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術, DSP是針對實時數(shù)字信號處理而設計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應用于嵌入式實時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
- 根據Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術。
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Apple Flash
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
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設計 管理 Flash NAND
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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設計 實現(xiàn) 算法 管理 Flash NAND
- 因應MCU成長快速及程序數(shù)據儲存需要，MCU內嵌Flash內存設計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結盟掌握內嵌Flash的相關IP與制程技術。本文將探討內嵌FlashIP制程技術，為下一代FlashMCU帶來的技術變革。
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MCU Flash
- 基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計,1 引言
FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
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系統(tǒng) 設計 存儲 嵌入式 FLASH 基于
- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
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