xperia 1 Ⅱ 文章 進入xperia 1 Ⅱ技術(shù)社區(qū)
芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開發(fā)支持
- Silicon Labs（亦稱“芯科科技”）接續(xù)著連接標準聯(lián)盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標準。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來的第二次更新。基于一年進行兩次更新的步調(diào)，可以幫助開發(fā)者引入新的設(shè)備類型，將Matter擴展到新的市場，同時可帶來互操作性和用戶體驗提升方面的其他改進。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現(xiàn)有的IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)來實現(xiàn)智能家居設(shè)備的互聯(lián)互通，以建立一種新的開放
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著技術(shù)推進到1.5nm及更先進節(jié)點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節(jié)點后段的最小目標金屬間距
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蘋果承認部分 iPhone 15 機型存在燒屏問題，iOS 17.1 將修復(fù)
- 10 月 18 日消息，蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新，特別針對蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機型，修復(fù)了“可能導(dǎo)致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機以來，陸續(xù)有用戶反饋稱新款機型出現(xiàn)嚴重燒屏問題。有人猜測這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題，現(xiàn)在蘋果通過軟件方式修復(fù)了燒屏問題。雖然大多數(shù)顯示問題的報告來自“iPhone 15”用戶，但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設(shè)備的用戶看到了類似的問題，
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協(xié)議的頒布，快充技術(shù)也迎來了新的時代。相比于之前主流的PD3.0標準，PD3.1標準不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓，還將最大輸出功率由100W提升至240W，這突破了現(xiàn)有的大功率使用場景，
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍
- 9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號：Meteor Lake）的核顯升級。據(jù)介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
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貿(mào)澤開售適合LTE IoT 應(yīng)用的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Digi XBee? 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件。該套件預(yù)裝了三個月的蜂窩數(shù)據(jù)服務(wù)，已提前激活并可隨時使用。利用Digi XBee? 3全球LTE Cat 1嵌入式調(diào)制解調(diào)器，設(shè)計師可以省去耗時、昂貴的FCC和運營商終端設(shè)備認證過程，將先進的LTE蜂窩連接快速集成到其設(shè)備和應(yīng)用中。通過貿(mào)澤供應(yīng)的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件，用戶
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Bourns推出高壓二電極氣體放電管(GDT) 符合IEC 62368-1設(shè)備和電子線保護
- 2023年8月14日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，正式推出其新一代氣體放電管 (GDT) 產(chǎn)品線的最新成員，引入了高電壓雙極過壓保護器家族。Bourns? GDT28H 系列產(chǎn)品旨在滿足當今通用工業(yè)用電力設(shè)備的保護需求，同時也應(yīng)對不斷增長的能源需求電氣化解決方案的迫切需求，完全滿足消費者和商業(yè)用途。隨著市面上眾多的電氣和電子設(shè)備均要求符合 IEC 62368-1 等電氣安全標準，GDT28H 系列的顯著優(yōu)勢之一在于其適用于交流電隔離解決方案。這需要通
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如何將1-Wire主機復(fù)用到多個通道
- 摘要具有許多1-Wire節(jié)點的1-Wire?網(wǎng)絡(luò)可能需要專用1-Wire通道。本文討論了一種在網(wǎng)絡(luò)中只使用一個1-Wire主機而擁有多個1-Wire通道的方法。?簡介1-Wire網(wǎng)絡(luò)最初設(shè)計用于與單條1-Wire總線上的單個1-Wire主機和多個1-Wire節(jié)點進行通信。對于1-Wire網(wǎng)絡(luò)，理想的拓撲是包含不重要分支線的線性拓撲。然而，包含長分支線的星形拓撲常常是不可避免的，導(dǎo)致確定有效限制的難度加大。解決這些難題的一種方法是利用模擬多路復(fù)用器(mux)將星形拓撲分解成許多通道。使用多個通道的
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三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲器解決方案
- 今日，三星電子宣布，已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費者打造優(yōu)秀的出行體驗。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS 3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節(jié)（GB）三種容量。在未來的汽車（電動汽車或自動駕駛汽車）應(yīng)用中，增強的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產(chǎn)品，功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
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凌陽與WiSA Technologies實現(xiàn)高達7.1.4的Atmos條形音箱應(yīng)用
- 美國俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月15日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司（NASDAQ股票代碼：WISA），與領(lǐng)先的多媒體和汽車應(yīng)用芯片供應(yīng)商凌陽科技（Sunplus Technology Co., Ltd，TWSE股票代碼: 2401）聯(lián)合宣布，雙方將攜手面向Atmos條形音箱市場推出多聲道沉浸式音頻系統(tǒng)級芯片（SoC）?！拔覀兎浅８吲d與WiSA Technologies攜手
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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計
- 更大容量電池需具備相同或更快充電時間的趨勢正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計USB PD適配器和充電器時，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標準，并考慮小型化設(shè)計以配合移動便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準諧振 (QR)控制器所構(gòu)成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
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Flex Power Modules將1/4磚型DC/DC轉(zhuǎn)換器的額定功率提升至1600W（連續(xù)）、2320W（峰值）
- Flex Power Modules，其1/4磚非隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器系列引入了一款新產(chǎn)品，可將功率密度提升至新的水平。這款BMR351具有40-60 V的輸入電壓范圍，并提供標稱值為12.2 V的非隔離但完全穩(wěn)壓的輸出電壓。其額定輸出電流為連續(xù)136 A（最大1600 W），并可在長達500 ms下輸出峰值電流200 A（最大2320 W）。該轉(zhuǎn)換器擁有極高的效率水平，峰值超過 98%，在54 Vin和半負載下的典型值為97.8%。BMR351轉(zhuǎn)換器使用下垂負載并聯(lián)技術(shù)以獲取更高功率，它還包含一個用于
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開始1-γ芯片制程開發(fā)？美光日本廠擬引入ASML光刻機
- 知情人士稱，美國美光科技公司準備在日本廣島的工廠安裝荷蘭ASML公司的先進芯片制造設(shè)備EUV（極紫外光刻機），以制造下一代存儲芯片（DRAM）。而其也將獲得日本政府提供的約2000億日元（15億美元）的補貼。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔之后證實了美光在日的進一步投資。他指出，日本政府正與臺積電討論擴大在日投資的可能性，美光也有意在廣島開始大規(guī)模生產(chǎn)先進存儲芯片。今日（周四），日本首相岸田文雄會見了美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在內(nèi)的芯片高管代表團，而有關(guān)芯片的詳細計劃可能在之后陸續(xù)宣布。自201
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強攻安卓高階市場 SONY發(fā)表Xperia 1 V旗艦新機
- Sony年度旗艦新機Xperia 1 V今日正式在臺推出，今年4月上任以來首次參與中國臺灣Xperia手機的上市發(fā)表的Sony Mobile中國臺灣區(qū)總經(jīng)理筒塩具隆 (Tomotaka Tsutsushio)表示，Xperia 1系列致力滿足安卓高階旗艦手機的市場需求，透過近年來集團內(nèi)部的業(yè)務(wù)整合，Xperia 1系列歷代的產(chǎn)品設(shè)計和技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)在拍照、錄像、游戲、音樂等領(lǐng)域帶給消費者引領(lǐng)業(yè)界的全方位行動娛樂產(chǎn)品。Xperia 1 V采用Sony集團全新開發(fā)的雙層式架構(gòu)感光組件，同時整合Sony領(lǐng)先的相機
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xperia 1 Ⅱ介紹
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