z-nand 文章進(jìn)入z-nand技術(shù)社區(qū)

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲(chǔ)器需求不斷擴(kuò)大，東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級(jí)單元（SLC）和多級(jí)單元（MLC） NAND 閃存，實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲(chǔ)容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長(zhǎng)的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項(xiàng)目。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而應(yīng)對(duì)未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項(xiàng)目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品，并進(jìn)行資源整合以促
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恒憶與海力士擴(kuò)大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議，在飛速增長(zhǎng)的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃。針對(duì)NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
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微控制器的市場(chǎng)前景及發(fā)展趨勢(shì)

　　微控制器廣泛應(yīng)用于各種小型電器，隨著技術(shù)的發(fā)展，其不但價(jià)格低廉，而且功能越來越強(qiáng)大。由于家用電器、手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車用電子等領(lǐng)域的市場(chǎng)推動(dòng)，微控制器的使用量越來越大而且表現(xiàn)出了更新?lián)Q代的趨勢(shì)。預(yù)計(jì)在未來的市場(chǎng)中，低階應(yīng)用將會(huì)以8位微控制器為主，而高階應(yīng)用將會(huì)由32位微控制器稱霸。當(dāng)然，也有可能沖出一個(gè)比32位微控制器更強(qiáng)大的產(chǎn)品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運(yùn)。不過就目前的情形來看，32位微控制器將在市場(chǎng)中活躍一陣子。其市場(chǎng)占有率將會(huì)逐漸上升，到2010年
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蘋果大量訂購NAND芯片：三星預(yù)警缺貨

　　據(jù)我國(guó)臺(tái)灣省的一家媒體報(bào)道稱，三星對(duì)其客戶發(fā)出預(yù)警，因蘋果大量訂購NAND閃存芯片，預(yù)計(jì)這類芯片將在一段時(shí)間內(nèi)缺貨。　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三，《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，三星在對(duì)其客戶發(fā)出的預(yù)警中表示，蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片，計(jì)劃用于3G版iPhone上；想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時(shí)間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應(yīng)商之一，兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。　　蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總?cè)萘肯喈?dāng)于5000萬GB(8Gb
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五月份全球半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)7.5%達(dá)到218億美元

　　【eNet硅谷動(dòng)力消息】半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)公布月度報(bào)告顯示，今年五月份全球半導(dǎo)體的銷售收入從去年同期的203億美元增長(zhǎng)了7.5%達(dá)到218億美元。受到全球消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁和美國(guó)消費(fèi)性支出好轉(zhuǎn)的推動(dòng)，五月份半導(dǎo)體銷售收入比四月份增長(zhǎng)了2.8%，四月份全球半導(dǎo)體銷售收入為212億美元。　　數(shù)據(jù)顯示，在半導(dǎo)體銷售中，計(jì)算機(jī)是最大的終端市場(chǎng)。今年前五個(gè)月，全球半導(dǎo)體銷售收入達(dá)到1034億美元，比去年同期增長(zhǎng)了5.3%。　　半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)總裁George Scalise在一份聲明中表示，盡管有媒體報(bào)告了
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全球閃存市場(chǎng)達(dá)254億美元廠商Q4投身30nm制程

　　據(jù)外電報(bào)道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(zhǎng)至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)器)、記憶卡等應(yīng)用外，也相當(dāng)看好移動(dòng)儲(chǔ)存市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿Α? 　　為降低生產(chǎn)成本，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營(yíng)已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國(guó)三星電
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旺盛需求助HDD業(yè)渡過低迷時(shí)期

　　據(jù)iSuppli公司，市場(chǎng)對(duì)于容量高達(dá)1TB而且價(jià)格適中的存儲(chǔ)裝置的旺盛需求，正在經(jīng)濟(jì)困難時(shí)期維持硬盤(HDD)產(chǎn)業(yè)的生存。　　與NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)不同，HDD廠商一直能夠通過學(xué)習(xí)控制成本來抵抗經(jīng)濟(jì)放緩和需求下滑的嚴(yán)重沖擊。另外，由于新應(yīng)用程序占用的硬盤空間越來越大，PC也需要更大的存儲(chǔ)容量，這有利于硬盤產(chǎn)業(yè)。只要對(duì)存儲(chǔ)容量的需求保持增長(zhǎng)，硬盤產(chǎn)業(yè)就能設(shè)法滿足需求。　　出貨量保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率　　2008年第一季度，硬盤廠商出貨量為1.37億個(gè)，比去年同期增長(zhǎng)21%，大部分流向五個(gè)主要領(lǐng)域
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iSuppli維持對(duì)NAND閃存市場(chǎng)狀況的“負(fù)面”評(píng)級(jí)

　　由于NAND閃存市場(chǎng)仍然充滿挑戰(zhàn)，iSuppli公司維持對(duì)供應(yīng)商近期形勢(shì)的“負(fù)面”評(píng)級(jí)，并重申了對(duì)于2008年全球市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)9%的預(yù)測(cè)。　　美國(guó)經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致消費(fèi)需求減弱，NAND需求也出現(xiàn)下滑跡象，促使iSuppli公司去年11月首次對(duì)該市場(chǎng)作出負(fù)面評(píng)估。NAND閃存大量用于個(gè)人媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品之中，因此與其它存儲(chǔ)芯片相比受經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響更大。　　這種評(píng)估得到了媒體報(bào)道與NAND供應(yīng)商英特爾的業(yè)績(jī)預(yù)警的證實(shí)。英特爾在3月份警告稱，由
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東芝停制200毫米NAND閃存主攻300毫米芯片

　　6月24日消息，由于NAND閃存產(chǎn)業(yè)處于低迷時(shí)期，東芝計(jì)劃減少其NAND閃存芯片產(chǎn)量。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，東芝計(jì)劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè)，該公司采用200毫米晶圓片生產(chǎn)閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產(chǎn)NAND閃存芯片。　　東芝將收購FlashVision的部分生產(chǎn)設(shè)備，并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠。FlashVision將把剩余的設(shè)備出售給第三方廠商。　　東芝半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼東
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無利潤(rùn)繁榮”時(shí)代？

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無利潤(rùn)繁榮”時(shí)代？半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報(bào)率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國(guó)加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會(huì)”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對(duì)產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點(diǎn)，并指出目前復(fù)雜的財(cái)務(wù)狀況用“無利潤(rùn)繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會(huì)者評(píng)價(jià)為此次座談
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2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將出現(xiàn)從緊態(tài)勢(shì)

　　市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報(bào)告，稱由于受到美國(guó)經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累，預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%，達(dá)475億美元。　　Gartner公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來所預(yù)測(cè)的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當(dāng)前的市場(chǎng)行情，預(yù)計(jì)今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%，而整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)費(fèi)用支出將減少29%”。　　Gartner還稱，預(yù)計(jì)今年全球用于芯片設(shè)
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08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷量

　　MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過4Q07傳統(tǒng)旺季的促銷熱賣，達(dá)到單季6,300萬臺(tái)以上的銷售紀(jì)錄后，1Q08在淡季因素的效應(yīng)影響下，出貨量銳減至4,258萬臺(tái)。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來看，Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達(dá)73%，全球市場(chǎng)其它的一線品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。　　單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來看，最引人關(guān)注的是高階機(jī)種iPod Touch在2008年2月
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英特爾美光推指甲芯片工藝最先進(jìn)容量翻番

　　【賽迪網(wǎng)訊】5月30日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，英特爾和美光科技公布了它們聯(lián)合開發(fā)的將催生大容量廉價(jià)固態(tài)硬盤的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱，這款閃存芯片是當(dāng)前工藝最先進(jìn)的NAND閃存芯片，將為在小型設(shè)備上提供廉價(jià)、大容量的固態(tài)硬盤奠定基礎(chǔ)。　　兩家公司計(jì)劃6月份交付樣品芯片，批量生產(chǎn)會(huì)在今年下半年開始。　　據(jù)英特爾講，基于其新NAND閃存設(shè)計(jì)的一個(gè)32Gb芯片可以存儲(chǔ)2000張高
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