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          PWM應用中的低電壓反饋
          
                                                            
            
                    	
          • 2004年6月A版 
　　就低電壓高電流電源應用而言，開關式電源柵極驅動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設計的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅動器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導通電阻，并減少傳導損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內部阻抗大大低于驅動級，因此與驅動并聯(lián)組合相關的大多數(shù)功率損耗，其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅動級由于并聯(lián)組合的關系都無法有效地滿足
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        PWM  模擬IC  電源                          
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