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一些 文章 進(jìn)入一些技術(shù)社區(qū)
新手必看,C51的一些誤區(qū)和注意事項(xiàng)
- C51的一些誤區(qū)和注意事項(xiàng):
1) C忌諱絕對(duì)定位。 常看見(jiàn)初學(xué)者要求使用_at_,這是一種謬誤,把C當(dāng)作ASM看待了。在C中變量的定位是編譯器的事情,初學(xué)者只要定義變量和變量的作 用域,編譯器就把一個(gè)固定地址給這個(gè)變量。 - 關(guān)鍵字: 注意事項(xiàng) 誤區(qū) 一些 C51 新手
linux內(nèi)核中一些常用的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和操作
- linux內(nèi)核中一些常用的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和操作,1. 前言 本文介紹linux內(nèi)核中一些常用的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和操作。2. 雙向鏈表(liST)linux內(nèi)核中的雙向鏈表通過(guò)結(jié)構(gòu) struct list_head來(lái)將各個(gè)節(jié)點(diǎn)連接起來(lái),此結(jié)構(gòu)會(huì)作為鏈表元素結(jié)構(gòu)中的一個(gè)參數(shù):struct list_head {struct
- 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 操作 常用 一些 內(nèi)核 linux
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件設(shè)計(jì)所需要的一些技巧
- 標(biāo)簽:功率器件 IGBT功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應(yīng),過(guò)載,短路等條件所造成的損害。本在線研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 需要 一些 技巧 設(shè)計(jì)所 器件 驅(qū)動(dòng) IGBT 功率 隔離
使用開(kāi)關(guān)電源的一些問(wèn)題
- 因?yàn)榻?jīng)常設(shè)計(jì)的是射頻或者是低頻的模擬電路,所以設(shè)計(jì)中很少用到開(kāi)關(guān)電源,但是有幾種情況下,必須選用開(kāi)關(guān)電源,才能滿足系統(tǒng)的性能!1. 輸入的電源電壓比系統(tǒng)所需要的電壓低,在這種情況下,系統(tǒng)需要升壓芯片來(lái)提高
- 關(guān)鍵字: 問(wèn)題 一些 開(kāi)關(guān)電源 使用
開(kāi)關(guān)電源EMI的一些設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
- 開(kāi)關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開(kāi)關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等,外部環(huán)境對(duì)開(kāi)關(guān)電源的干擾主要來(lái)自電網(wǎng)的抖動(dòng)、雷擊、外界輻射等。1.開(kāi)關(guān)電源的EMI源開(kāi)關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開(kāi)關(guān)管、整流二極管、高
- 關(guān)鍵字: 經(jīng)驗(yàn) 設(shè)計(jì) 一些 EMI 開(kāi)關(guān)電源
單片機(jī)開(kāi)發(fā)中的一些實(shí)用技巧(下)
- 一。庫(kù)函數(shù)的生成 當(dāng)將自己開(kāi)發(fā)的程序提供給他人使用但又不便公開(kāi)源代碼時(shí),把源代碼做成庫(kù)函數(shù)是一種可行的辦法,這樣可以保護(hù)自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及利益,這里我們介紹生成庫(kù)函數(shù)的方法及使用?! ?*------------
- 關(guān)鍵字: 實(shí)用技巧 一些 開(kāi)發(fā) 單片機(jī)
一些介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)一些的理解,并與今后在此搜索一些的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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