旺宏 文章 進入旺宏技術(shù)社區(qū)
2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。預(yù)計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進40納米制程。
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2021全球NOR Flash市場：兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%，份額升至23.2%
- 6月21日消息，半導體市場研究機構(gòu)IC Insights發(fā)布的最新研究報告指出，2021年NOR Flash市場銷售額雖然僅占整個Flash市場的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長了33%，同時平均售價也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達到了29億元。根據(jù)IC Insights的預(yù)測， 2022年NOR Flash市場還將繼續(xù)增長 21%，使得總銷售金額達到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示，華邦電子、旺宏
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旺宏NAND論文 獲國際肯定
- 內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內(nèi)存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 旺宏強調(diào)，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內(nèi)存密度。 目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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Spansion 對旺宏電子發(fā)起另外兩項專利訴訟
- 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴大的存儲產(chǎn)品中，在過往以及當前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。 涉案的四項專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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旺宏聯(lián)貸180億元入袋 為12吋廠擴產(chǎn)準備
- NOR Flash大廠旺宏順利募資順利，成功獲得新臺幣180億元聯(lián)貸案，由于大客戶任天堂的3D新款游戲機即將上市，旺宏的12吋晶圓廠將加緊腳步，在2011年進入量產(chǎn)，預(yù)計2010、2011的資本支出共達10億美元，這次聯(lián)貸案成功，也順利充實擴廠的資金來源;此外，受惠近期日圓升值，旺宏將是最直接的受惠者。 旺宏董事長吳敏求表示，目前旺宏手上現(xiàn)金水位還有300億元，為了擴建12吋晶圓廠的財務(wù)規(guī)劃需求，正式與15家銀行辦理聯(lián)貸案，共募得180億元，2011年12吋晶圓廠將可順利步入量產(chǎn)，初期規(guī)劃年底前
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臺旺宏電子將出資85億新臺幣收購茂德300mm晶圓廠
- 臺灣閃存廠商旺宏電子(Macronix International)近日決定出資85億新臺幣收購茂德電子公司旗下位于臺灣新竹科技園區(qū)的的一間300mm晶圓廠。收購這間晶圓廠后，旺宏公司 的芯片月產(chǎn)能有望達到2萬片。據(jù)旺宏公司高層表示，這間收購的工廠將主要用于生產(chǎn)高密度/高質(zhì)量的ROM存儲芯片和NOR閃存芯片產(chǎn)品。該高層并表示，目 前市場上的NOR閃存已經(jīng)出現(xiàn)嚴重的缺貨現(xiàn)象。 據(jù)旺宏公司高層表示，旺宏計劃在這間新工廠內(nèi)使用45nm制程制作技術(shù)。
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旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃記憶體
- 日前，序列式快閃記憶體(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司旺宏電子(TSE:2337)宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃記憶體產(chǎn)品─MX25L25635E。 旺宏電子創(chuàng)新的32位元定址技術(shù)，利用簡單的切換，即可讓原有的記憶體容量提高至256Mbit，并且還提供了能相容于既有24位元定址的模式，使得系統(tǒng)工程師及制造商易于提高原有產(chǎn)品的功能及效能。 據(jù)了解，旺宏電子256Mbit序列快閃記憶體產(chǎn)品的主要應(yīng)用市場，是在需大量程式碼及資料存儲方面，如高階網(wǎng)通、WiMAX、服務(wù)器
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旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計年底前動工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計
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IBM、旺宏和奇夢達共同推出新型存儲芯片技術(shù)
- 尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠遠快于閃存 來自IBM、旺宏和奇夢達的科學家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計算機存儲器技術(shù)將有望取代已被廣泛用于計算機和消費類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。 新研究成果預(yù)示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲器以及功能更強大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術(shù)還為面向移
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