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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶格缺陷

晶格缺陷文章進(jìn)入晶格缺陷技術(shù)社區(qū)

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)

功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度、發(fā)光效率、發(fā)光波長、使用壽命等，因此，對功率型LED芯片的封裝設(shè)...
關(guān)鍵字：固體光源超高亮度LED 電參數(shù) 晶格缺陷文獻(xiàn)標(biāo)識碼電壓型線光源散熱特性封裝技術(shù) 封裝材料

共1條 1/1 1

晶格缺陷介紹

　　晶格缺陷【crystal defects】　　在實(shí)際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運(yùn)動(dòng)及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些與完整周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。　　缺陷對晶體的物理性質(zhì)具有極其重要的影響，可分為面缺陷、線缺陷和點(diǎn)缺陷三種。其中晶粒間界、堆垛層錯(cuò)和孿晶間界屬于面缺陷，晶粒間界指多晶體中晶 [ 查看詳細(xì) ]

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