<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

鄭州工程師帖｜恩智浦技術日-工業和物聯網專場 TI MSPM0實戰動手系列活動等你來開啟自己來搞一個手勢翻頁筆如何？ EEPW會員技術?？堎|版免費索閱看這里

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> 有效偏置

有效偏置文章進入有效偏置技術社區

如何對耗盡型pHEMT射頻放大器進行有效偏置？

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
關鍵字： pHEMT 放大器有效偏置偏置電路

共1條 1/1 1

有效偏置介紹

您好，目前還沒有人創建詞條有效偏置!
歡迎您創建該詞條，闡述對有效偏置的理解，并與今后在此搜索有效偏置的朋友們分享。創建詞條

熱門主題

樹莓派 linux

關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社版權所有北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();