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功率半導(dǎo)體晶元浪涌擊穿的分析與研究
- 整流橋擊穿短路失效,故障表現(xiàn)為橋堆內(nèi)部二極管晶元浪涌擊穿。本文從整流橋失效機(jī)理、器件結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)過程可靠性等方面分析,通過采用X-ray、超景深微鏡、QT2等設(shè)備對器件進(jìn)行全面分析論斷。通過研究分析發(fā)現(xiàn),此故障為晶元焊接后清洗不良所致,焊接過后晶元周圍多余焊料未清洗干凈,導(dǎo)致晶元耐電壓能力下降。整改從清洗環(huán)節(jié)入手,通過更改清洗溶液比重,以及建立報(bào)警和可追溯機(jī)制,杜絕此故障發(fā)生。
- 關(guān)鍵字: 晶元 錫渣 清洗不良 浪涌擊穿 比重 202109
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