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	氮氧化硅
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          臺積電率先推出28納米低耗電平臺
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  SRAM  28納米  低耗電  氮氧化硅  多晶硅                          
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          氮氧化硅介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條氮氧化硅!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對氮氧化硅的理解，并與今后在此搜索氮氧化硅的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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