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          新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。

　　隨著晶片微縮即將接近原子級(jí)的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動(dòng)電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。

　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        FinFET  矽材料                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
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          矽材料介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條矽材料!
           
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