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          三星將在平澤P2廠建設(shè)10nm第七代DRAM試驗線

          • 三星電子將在平澤二廠(P2)建設(shè)一條10nm第七代DRAM(1d DRAM)試驗線,以加強其競爭地位并提高新一代產(chǎn)品的良率。據(jù)報道,三星計劃于2024年第四季度開始建設(shè)1d DRAM試驗線,預(yù)計于2025年第一季度完工。雖然這條1d DRAM生產(chǎn)線具體生產(chǎn)規(guī)模的細節(jié)尚不清楚,但業(yè)內(nèi)估計,試驗線的月產(chǎn)能通常約為10000片晶圓。三星計劃于2025年開始量產(chǎn)1c DRAM,隨后于2026年開始量產(chǎn)1d DRAM。該公司在為1c DRAM量產(chǎn)做準備的同時建立這條試驗線的決定反映出其積極的發(fā)展戰(zhàn)略。業(yè)內(nèi)人士稱,新
          • 關(guān)鍵字: 三星  10nm  第七代DRAM  
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          第七代dram介紹

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