第九代 文章 進入第九代技術(shù)社區(qū)
NAND市場,激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能(AI)相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲(HBM)需求的推動,NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前,NAND 閃存市場的競爭正在加劇,存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力,以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn),這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢?眾所周知,平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分,
- 關(guān)鍵字: 三星 第九代 V-NAND
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日,據(jù)媒體報道,三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段,大廠們正在追求存儲先進技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進度來看,NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)
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第九代介紹
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