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Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性，節(jié)省空間
- ?奈梅亨，2020年5月27日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場為目標(biāo)市場，尤其適合高溫應(yīng)用，例如，LED照明、發(fā)動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區(qū)域，在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設(shè)
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車載肖特基二極管耐壓可提升至200V，有望替代快恢復(fù)/整流二極管
- 王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》，北京?100036） 摘 ? 要：在車載二極管市場，200 V產(chǎn)品的需求量越來越大，傳統(tǒng)是整流二極管和快恢復(fù)二極管主導(dǎo)的領(lǐng)域；不過，現(xiàn)在出現(xiàn)了顛覆者，通過改進肖特基勢壘二極管的阻擋金屬材料，肖特基勢壘二極管可實現(xiàn)高達(dá)200 V的耐壓，從而顯著改善正向電壓V F 特性（比以往FRD低約11％）。例如，ROHM已推出了這種新型肖特基勢壘二極管（SBD），實現(xiàn)了小型化、耐高溫、低功耗?！ ￡P(guān)鍵詞：肖特基；二極管；快恢復(fù)；整流 1 肖特基在車載領(lǐng)域的潛力大 二極管主要由幾種產(chǎn)
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車載肖特基二極管耐壓提升至200V，有望替代快恢復(fù)/整流二極管
- 隨著汽車向電氣化和自動駕駛等方向發(fā)展，需要車載電子產(chǎn)品在體積不變的情況下功能更豐富、性能更高，因此需要電子元器件更加高效。在車用二極管市場，200V產(chǎn)品的需求量也越來越大，傳統(tǒng)是整流二極管和快恢復(fù)二極管（FRD）主導(dǎo)的領(lǐng)域；不過，現(xiàn)在出現(xiàn)了顛覆者，近日ROHM推出了新的肖特基勢壘二極管，實現(xiàn)了小型化、耐高溫、低功耗。?圖1 部分二極管產(chǎn)品的特點比較ROHM是世界主要的二極管制造商之一。據(jù)ROHM株式會社功率器件制造本部、功率二極管制造部、商品開發(fā)部組長田中宏幸先生介紹，ROHM二極管在全球約占1
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一種降低肖特基PIN限幅器損耗的方法
- 介紹 無線通信接收器前端可能會因同步或異步信號傳輸形成過載[1],在時域雙工系統(tǒng)中，交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會造成前者，后者則由兩個未相關(guān)系統(tǒng)天線間造成的非故意耦合產(chǎn)生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一個造成過載的原因為發(fā)出刺激脈沖后探針線圈上儲存能量所帶來的振鈴信號[2],縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能，但卻會犧牲過載的承受能力，例如采用0.25μ
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淺談如何降低肖特基PIN限幅器損耗
- 介紹 無線通信接收器前端可能會因同步或異步信號傳輸形成過載[1],在時域雙工系統(tǒng)中，交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會造成前者，后者則由兩個未相關(guān)系統(tǒng)天線間造成的非故意耦合產(chǎn)生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一個造成過載的原因為發(fā)出刺激脈沖后探針線圈上儲存能量所帶來的振鈴信號[2],縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能，但卻會犧牲過載的承受能力，例如采用0.25μ
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