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          良率 文章 進入良率技術社區

          拼命追趕還是慘輸臺積電 三星3納米最新良率曝光

          • 臺積電的先進制程技術遙遙領先其他競爭對手,也獲得全球大客戶肯定。不過南韓三星電子仍努力追趕,想要分一杯羹。據最新爆料,三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍,但仍是落后臺積電??萍季W站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺X(前身為推特)的發文報導,三星的3納米制程良率一開始雖然只有10~20%,但最近已拉升至3倍以上。盡管三星如今3納米制程良率已達30~60%之間,但Revegnus直言,相較于使用FinFET制程的臺積電,三星的良率數據依然偏低。不過三星對于第二代3納米制程寄予厚望,
          • 關鍵字: 臺積電  三星  3納米  良率  

          4~5nm良率逐漸穩定,客戶訂單增加?三星回應

          • 據《科創板日報》報道,針對“因4~5納米先進制程良率逐漸穩定,客戶訂單正逐漸增加,稼動率也相應反彈,12英寸稼動率回升至九成?!边@一市場消息,三星半導體對其進行了回應。報道指出,三星半導體相關負責人回應表示,“暫無法透露最新良率或者客戶情況。正如我們在2022年4月的財務電話會議上所提及,5nm制程良率自去年年初以來已穩定下來,而4nm制程良率也已得到了提升,自2022年第一季度以來一直在預期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經穩定了?!睋n國媒體BusinessKorea報道,三星4納米制程良率相較之前
          • 關鍵字: 5nm  良率  晶圓代工  三星  

          5nm以下工藝良率低 三星:將尋找中國客戶

          • 據韓國媒體報道,三星電子新人聯合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會上表態,稱三星今年芯片及零件部門的增長率有望優于全球芯片市場的9%,三星會設法提高產能,滿足市場需求。針對5nm及以下工藝良率偏低的問題,Kyung Kye-hyun表示芯片擴產需要時間,但三星已經在改善中,他強調半導體芯片工藝越來越精密,復雜度也提高了,5nm以下的芯片工藝正在逼近半導體物理極限。Kyung Kye-hyun稱三星計劃將生產線運營最佳化,以改善盈利及供應,并持續提升已經量產的工藝。此外,Kyun
          • 關鍵字: 5nm  良率  三星  

          4nm良率僅為三成 三星晶圓代工疑出現“良品率造假”

          • 據媒體報道稱高通已將3nm AP代工訂單獨家交給了臺積電。不僅如此,有業內人士稱,高通還將部分4nm驍龍8旗艦處理器的部分代工訂單交給臺積電。當時我聽到這個消息一方面為臺積電感到高興,另一方面心中出現質疑:為什么高通沒有選擇三星?而近期外媒的爆料給出了這個答案。2月25日,據韓國媒體爆料稱,近期三星電子懷疑三星半導體代工廠的產量及良率報告存在“造假”行為,正計劃開展一項內部調查。據悉,三星電子DS部門(三星電子旗下半導體事業暨裝置解決方案事業部,三星晶圓代工業務隸屬于該部門)近期正接受管理咨詢部門就三
          • 關鍵字: 4nm  良率  三星晶圓代工  

          iPhone 14疑似無緣3nm芯片 或因良率過低

          • 根據國外媒體tomshardware報道,由于臺積電3nm工藝良率存在問題,蘋果或放棄采用3nm工藝打造新一代A16芯片,這也意味著今年將要發布的iPhone 14疑似無緣3nm芯片。據了解,將搭載在iPhone 14上的蘋果A16處理器計劃采用臺積電3nm工藝生產,但是由于臺積電可能需要到2023年Q1季度才能批量交付3nm芯片,因此A16處理器智能轉為使用臺積電4nm工藝打造。
          • 關鍵字: iPhone 14  3nm  良率  

          臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上

          • 近日,關于臺積電3nm工藝制程有了新消息,據外媒digitimes最新報道,半導體設備廠商透露,臺積電3納米良率拉升難度飆升,臺積電因此多次修正3納米藍圖。實際上,隨著晶體管數量的堆積,內部結構的復雜化,3nm工藝制程的良品率確實很難快速提升,達成比較好的量產水平。因此,臺積電或將規劃包括N3、N3E與N3B等多個不同良率和制程工藝的技術,以滿足不同廠商的性能需求,正如同去年蘋果在A15上進行不同芯片性能閹割一致,即能滿足量產需求,還能平攤制造成本,保持利潤。此外,還有消息稱臺積電將在2023年第一季度開
          • 關鍵字: 臺積電  3nm  良率  

          臺積電披露5納米制程最新進展:測試良率超過8成

          • 根據外媒報導,日前在國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)大會上,晶圓代工龍頭臺積電官方披露了5納米制程的最新進展。
          • 關鍵字: 臺積電  5納米  良率  

          泛林集團邊緣良率產品組合推出新功能

          • 近日,全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布其半導體制造系統產品組合推出全新功能,以進一步改善晶圓邊緣的產品良率,從而提高客戶的生產效率。在半導體生產工藝中,制造商希望在晶圓的整個表面搭建集成電路。然而,由于晶圓邊緣的化學、物理和熱不連續性都更加難以控制,良率損失的風險也隨之增加。因此,控制刻蝕的不均勻度以及避免晶圓邊緣缺陷是降低半導體器件制造成本的關鍵所在。泛林集團的Corvus刻蝕系統和Coronus等離子斜面清潔系統有效地解決了大規模生產中的邊緣良率問題。這些解決方案被應用于尖端節點的制造
          • 關鍵字: 晶圓  良率  

          利用縫隙抑制型鎢填充接觸區工藝來降低良率損失

          • 在早先的技術節點中,由于器件尺寸較大,能采用成核及平整化化學氣相沉積(CVD)技術進行鎢(W)填充。如今,由于插塞處的超小開口很容易發生懸垂現象,因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關閉或夾斷,從而留下孔洞。
          • 關鍵字: 化學氣相沉積  良率  化學機械拋光  
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          良率介紹

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