基于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中浪涌抑制模塊的方案拾遺

有人提出一種無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖7(a)所示，其上電電流波形如圖7(b)所示，其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會(huì)由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象，但不影響電路工作。從原理上講，這種電路是可行的，但在使用時(shí)則有如下問(wèn)題難以解決：如220V輸入的400W開(kāi)關(guān)電源的上電電流至少需要達(dá)到4A，如上電時(shí)剛好是電網(wǎng)電壓峰值，則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率，也遠(yuǎn)超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率，即使是APT的線性MOSFET也只有 450W的額定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的結(jié)果是，MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過(guò)程便可能被熱擊穿，而且從成本上看，IRF840的價(jià)格可以接受，而IRFP450及IRFP460則難以接受，APT的線性MOSFET更不可能接受。

圖7 一種上電浪涌電流抑制電路

欲真正實(shí)現(xiàn)無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊，需解決功率器件在上電過(guò)程的功率損耗問(wèn)題。作者推出的另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是，使功率器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而解決了功率器件上電過(guò)程中的高功率損耗問(wèn)題，而且電路簡(jiǎn)單。電路如圖8(a)和圖 8(b)所示，上電電流波形如圖8(c)所示。

圖8 新型上電浪涌電流抑制電路

測(cè)試結(jié)果

A模塊在400W開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用時(shí)，外殼溫升不大于40℃，允許間隔20ms的頻繁重復(fù)上電，最大峰值電流不大于20A，外形尺寸25mm×20mm×11mm或35mm×25mm×11mm。B模塊和C模塊用于800W的額定溫升不大于40℃，重復(fù)上電時(shí)間間隔不限，上電峰值電流為正常工作時(shí)峰值電流的3～5倍，外形尺寸35mm×30mm×11mm或者50mm×30mm×12mm。模塊的鋁基板面貼在散熱器上，模塊溫度不高于散熱器5℃。