Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學氣相淀積(CVD)技術,這種技術能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質量的 隔離層結構。據(jù)Applied Materials公司宣稱,這些隔離結構的深寬比可超過30:1,比目前工藝對隔離結構的要求高出5倍左右。
這項技術使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術專利,淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動到需要填充的各種形狀的結構中