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碳化硅 mosfet
碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
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旺材芯片
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2024-06-02
喜報(bào)!讓碳化硅瘋狂生長(zhǎng)-科友半導(dǎo)體晶體厚度突破80mm!
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旺材芯片
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2024-05-31
技術(shù) | SiC襯底和外延材料對(duì)MOSFET器件特性的影響
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旺材芯片
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2024-03-09
碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
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旺材芯片
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2024-01-24
碳化硅與第三代半導(dǎo)體的淵源
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旺材芯片
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2023-12-19
中國(guó)碳化硅(國(guó)內(nèi)三杰)產(chǎn)能跟蹤
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旺材芯片
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2023-12-14
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用差異
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旺材芯片
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2023-12-08
碳化硅賽道“涌動(dòng)” ,國(guó)內(nèi)外巨頭抓緊布局
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傳感器技術(shù)
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2023-12-03
詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算
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yingjian
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2023-11-17
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
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12345zhi
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2023-08-31
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
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12345zhi
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2023-08-03
碳化硅需求旺盛,安森美Q3業(yè)績(jī)及Q3財(cái)測(cè)超預(yù)期
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芯智訊
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2023-08-01
碳化硅“狂飆”:追趕、內(nèi)卷、替代
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芯東西
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2023-07-09
中國(guó)電科:國(guó)產(chǎn)碳化硅器件和設(shè)備取得突破
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芯片大師哥
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2023-07-06
碳化硅“狂飆”:追趕、內(nèi)卷、替代
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旺材芯片
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2023-06-27
細(xì)談中國(guó)碳化硅的從無(wú)到有,老一輩工藝先驅(qū)者的匠心足跡
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芯片揭秘
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2023-05-18
SiC MOSFET——降低功率損耗,邁向碳中和
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
如何避免MOSFET常見問(wèn)題和失效模式
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yingjian
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2023-04-25
采埃孚與意法半導(dǎo)體就碳化硅器件簽署多年供應(yīng)協(xié)議
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旺材芯片
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2023-04-15
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
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yingjian
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2023-02-28
降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱
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旺材芯片
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2023-02-02
光電耦合器和MOSFET之間的差異
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騰恩科技彭工
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2023-02-01
羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器
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12345zhi
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2022-12-28
ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)
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12345zhi
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2022-12-08
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動(dòng)器的重要性
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dianlaotie
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2022-11-10
芯片研發(fā)過(guò)程中的可靠性測(cè)試——碳化硅功率器件
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深圳半導(dǎo)體
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2022-11-03
MOSFET選型10步法則
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電巢
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2022-10-27
碳化硅產(chǎn)業(yè)化駛?cè)肟燔嚨?A股公司紛紛“搶食”盛宴
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芯股嬸
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2022-10-24
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
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xiaxue
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2022-10-21
擴(kuò)產(chǎn)、簽約!碳化硅新勢(shì)力SK siltron忙不停
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旺材芯片
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2022-10-18
MOSFET選型10步法則
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電巢
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2022-10-16
碳化硅的謊言與真相
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傳感器技術(shù)
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2022-09-15
碳化硅的謊言與真相
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金捷幡
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2022-09-09
新突破:一次擴(kuò)徑技術(shù)將碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸!
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先進(jìn)半導(dǎo)體
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2022-07-30
SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
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2022-07-17
國(guó)產(chǎn)碳化硅,跑出發(fā)展加速度
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2022-07-13
常見的幾種功率半導(dǎo)體器件有哪些?
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2022-07-06
碳化硅8英寸雙線圈感應(yīng)爐,恒普科技重磅發(fā)布兩個(gè)新爐型
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先進(jìn)半導(dǎo)體
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2022-07-06
碳化硅市場(chǎng)規(guī)模有多大,國(guó)產(chǎn)廠商能分得幾杯羹?
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2022-07-02
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