英特爾在俄勒岡州工廠加速32納米處理器芯片的制造

　　英特爾的Bohr認為，全球第一個32納米的Westmere處理器將在其俄勒岡州的Hillsboro的DID工廠內(nèi)進行量產(chǎn)。

　　在英特爾的發(fā)展論壇IDF開會之前(2009,9月底) 出貨32納米處理器樣品給客戶進行測試，預(yù)示32納米處理器已經(jīng)進入量產(chǎn)前的驗證階段，并表示Q4全球第一家工廠將產(chǎn)生其銷售額。

　　Westmere, Intel's first 32 nm processor, was demonstrated in January 2009.

　　Bohr表示，在DID工廠進行量產(chǎn)之后在Hillsboro的DIC廠在Q4也進行量產(chǎn)，緊接著在亞利桑那州的Chandler的Fab 32及新墨西哥州的Rio Rancho廠進行大量生產(chǎn)，并承諾將化費總計為70億美元來支持改造升級現(xiàn)有的工廠進行32納米處理器的量產(chǎn)。

　　有關(guān)32納米處理器的細節(jié)，包括準確的驅(qū)動電流測量，在PMOS的引變結(jié)構(gòu)中鍺的加入及其它關(guān)鍵等將在12月7-9日于巴爾的摩的英特爾IEDM會上提出討論。

　　Bohr同樣談到在CPU與SoC處理器間的差距正在縮小，在45納米節(jié)點時，SoC工藝相比于CPU落后1年，而到32納米時僅只有6個月。英特爾希望未來把這個差距縮短至3個月。

　　英特爾此次釆用縮小間距0,7倍到112.5納米，即一個接觸點的中心到下一個中心的間距來測量。而替代過去依面積或者其上晶體管的尺寸來比較。今后的每個節(jié)點都必須引進新技術(shù)及新的材料。如在90及65納米時功能的提高主要依賴引変硅技術(shù)的導(dǎo)入，而到45及32納米時依賴于高k及金屬柵。

　　在源漏結(jié)構(gòu)中首次引入柵電流增大的方法，如在PMOS中的SiGe，然后把多晶硅柵付蝕掉，并用金屬柵來替代。此種多晶硅柵被付蝕掉的作用可以看作如同在PMOS晶體管中的溝道更加被壓縮一樣，使得PMOS的驅(qū)動電流與NMOS功能相接近。

　　PMOS drive currents are getting closer to traditionally faster NMOS devices. (Source: Intel)

　　Bohr認為顯然過于太強的引変層實際上會導(dǎo)致溝道晶格中的缺陷密度增加，所以不能把引變硅的勢能完全耗盡。其主要的結(jié)果是縮小PMOS及NMOS的功能差異，另一個目的將在英特爾的IEDM會上討論。

　　在32納米處理器制造中，英特爾首次使用193nm浸入式光刻機。Bohr認為浸入式光刻技術(shù)在下一代22納米處理器時同樣會使用。至于談到是否 EUV光刻將用在15納米使用時，Bohr回答EUV技術(shù)可能尚未準備好，至少在15納米開初的試生產(chǎn)中。它補充道英特爾正努力延伸193nm浸入式光刻技術(shù)至15納米工藝中。