力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn) 季增率挑戰(zhàn)30~40%
臺系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn),開始大量增加投片量,其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠,傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增 30~40%,力晶11月出貨量大幅成長,也將反映在11月營收上,出現(xiàn)大幅度成長;再者,除了DDR2芯片外,力晶也開始增加DDR3芯片產(chǎn)出,臺廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/100268.htm臺廠2008年底開始進(jìn)入長達(dá)3季的減產(chǎn),隨著DRAM價(jià)格在奇夢達(dá)(Qimonda)退出市場后,由供過于求逐漸走向供給平衡,因此緩步開始增產(chǎn),尤其在營運(yùn)開始產(chǎn)生現(xiàn)金流入后,增產(chǎn)的速度加快,現(xiàn)在力晶是全產(chǎn)能投片,而華亞科目前單月產(chǎn)能為10 萬片,距離12寸晶圓廠滿載產(chǎn)能13萬片還有一段差距,主要是保留產(chǎn)能作為制程轉(zhuǎn)換之故。
南亞科近幾個(gè)月投片量遞減,全力專注轉(zhuǎn)制程到68奈米和50奈米制程,因此產(chǎn)能不如預(yù)期大幅增加,保留實(shí)力到2010年。而這一波存儲器景氣復(fù)蘇,力晶的12寸晶圓廠的增產(chǎn)幅度則最大,居所有臺廠之冠,由于短期內(nèi)力晶也不會轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程,因此致力于加速增產(chǎn)。
日前市場傳出,力晶在12寸晶圓廠的產(chǎn)能全開下,第4季位元成長率將高達(dá)30~40%,11月營收也將反映產(chǎn)能增加而大幅度躍升,發(fā)言人譚仲民則表示,的確逐月在回復(fù)投片量當(dāng)中,但實(shí)際第4季位元成長率,目前無法公布,而目前旗下12寸晶圓廠視滿載投片的狀況。
再者,力晶除了增加DDR2芯片投片量之外,也開始轉(zhuǎn)投部分產(chǎn)能到DDR3芯片上,緩步進(jìn)入新舊產(chǎn)品世代交替。整體來看,目前臺廠的主力產(chǎn)品仍是DDR2芯片,部分產(chǎn)能開始轉(zhuǎn)投DDR3芯片,而國際大廠DDR3芯片產(chǎn)能比重相對較高,早一步走入世代交替期。
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