力晶 文章 進(jìn)入力晶技術(shù)社區(qū)
力晶黃崇仁：2017年DRAM市況非常好
- 力晶執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁20日出席臺(tái)灣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)協(xié)會(huì)成立大會(huì)時(shí)表示，明年存儲(chǔ)器市況不錯(cuò)，但力晶沒有到大陸生產(chǎn)存儲(chǔ)器的計(jì)劃;同時(shí)他發(fā)表傳出前中華電信董事長(zhǎng)蔡力行要去紫光看法，他認(rèn)為蔡力行對(duì)于老東家臺(tái)積電有程忠誠(chéng)度，不會(huì)去挖臺(tái)積電的墻角。 20日市場(chǎng)傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團(tuán)，協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對(duì)此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對(duì)臺(tái)積電是有忠誠(chéng)度的，不會(huì)去挖臺(tái)積電的墻角。 由于力晶已經(jīng)前進(jìn)大陸合肥在當(dāng)?shù)厣w12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經(jīng)蓋好，明年將進(jìn)
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大陸挖角招式多 鎩羽而歸也不少
- 近15年來，中國(guó)陸續(xù)挖角臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才，從晶圓代工、封測(cè)再延伸到近年受矚目的IC設(shè)計(jì)研發(fā)，企圖復(fù)制臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈;近來中國(guó)砸重金積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，挾市場(chǎng)與資金優(yōu)勢(shì)，找技術(shù)與號(hào)召人才更是招式百出。 中國(guó)與臺(tái)灣在半導(dǎo)體業(yè)原本呈現(xiàn)極大的差距，2000年臺(tái)積電(2330)并購世大，原任世大總經(jīng)理張汝京帶著一票人轉(zhuǎn)戰(zhàn)中國(guó)創(chuàng)立中芯國(guó)際，優(yōu)渥的薪酬福利與配股，吸引晶圓代工、封測(cè)等生產(chǎn)制造端一波西進(jìn)風(fēng)，但有些人因發(fā)展不如預(yù)期陸續(xù)鎩羽而歸。 西進(jìn)的半導(dǎo)體業(yè)知名人士包括現(xiàn)任中芯執(zhí)行長(zhǎng)與執(zhí)行董事邱慈云、并
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力晶黃崇仁：物聯(lián)網(wǎng)需求加持，DRAM產(chǎn)業(yè)前景看俏
- 對(duì)于整體DRAM產(chǎn)業(yè)的看法，記憶體廠力晶執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁認(rèn)為，由于過去5年并沒有新產(chǎn)能加入，而需求端則已從個(gè)人電腦拓展至伺服器、行動(dòng)裝置、消費(fèi)性電子，以及物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用;在供給有限、需求則不斷成長(zhǎng)下，從短期來看，預(yù)估明年供不應(yīng)求的缺口仍在，若伺服器及物聯(lián)網(wǎng)需求快速成長(zhǎng)，則明年將是大缺貨的一年;若以長(zhǎng)期來看，則預(yù)估將長(zhǎng)期呈現(xiàn)供不應(yīng)求。 黃崇仁指出，DRAM產(chǎn)業(yè)目前僅剩三星、海力士與美光等三大陣營(yíng)，預(yù)計(jì)未來不會(huì)像之前一樣盲目擴(kuò)產(chǎn)，因此整體供給將受到節(jié)制。他并點(diǎn)出，物聯(lián)網(wǎng)所用的DRAM，即一般所稱「i-RA
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明年DRAM大缺貨，絕對(duì)物聯(lián)網(wǎng)元年
- 在國(guó)內(nèi)也屬于老字號(hào)的半導(dǎo)體廠力晶科技，與南亞科、華亞科一樣擁有記憶體產(chǎn)能，也和臺(tái)積電、聯(lián)電爭(zhēng)搶邏輯晶片晶圓代工訂單，但創(chuàng)辦人黃崇仁說，力晶不是DRAM廠，也不是Foundry，而是獨(dú)步全球的“Open Foundry”。 ? 記憶體廠力晶科技成立20年，創(chuàng)辦人黃崇仁指出，力晶已有了長(zhǎng)期穩(wěn)定獲利的成功方程式。圖文/楊曉芳 在這個(gè)新的商業(yè)模式下，力晶將締造出年連續(xù)3年、年獲利突破百億元的佳績(jī)(2013～2015年)，這也是力晶成立20年來第一次出
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東芝訴力晶等四家臺(tái)灣芯片廠侵權(quán)
- 6月4日中午消息，日本東芝公司昨日宣布，已在臺(tái)灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽(yù)科技(C.T.C)，指控四家臺(tái)灣公司侵害東芝NAND閃存專利。力晶表示，目前已收到相關(guān)文件，閃存相關(guān)業(yè)務(wù)占力晶業(yè)務(wù)比重低，對(duì)公司營(yíng)運(yùn)影響不大。 東芝目前要求新臺(tái)幣1億元賠償金，并計(jì)劃日后提高索賠金額。東芝也要求被告停止銷售和制造被控侵權(quán)的產(chǎn)品。東芝在1987年發(fā)明NAND閃存，是目前全球主要制造商之一。NAND閃存廣泛用于智能手機(jī)。 東芝表示，已在臺(tái)灣的知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院提出控訴，控告力晶等四家公司侵害東芝
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買定茂德廠？世界先進(jìn)：購廠未定案！球不在手中
- 世界先進(jìn)董事長(zhǎng)章青駒4日未出席法說，引發(fā)外界關(guān)注「是否為去談茂德case」。世界先進(jìn)則回應(yīng)表示，董座主因個(gè)人因素而未出席。購廠方面尚無確定結(jié)果，該公司謹(jǐn)慎的評(píng)估購置8寸或12寸晶圓廠的產(chǎn)能，并不設(shè)限于國(guó)內(nèi)外。 據(jù)悉，茂德原先售廠開出底價(jià)在195億元，但世界先進(jìn)的理價(jià)為100億元雙方之間有相當(dāng)大差距。而章青駒一向出席該公司法說，而他今天并「未露面」引發(fā)外界討論「是否可能就是去談茂德case」。 關(guān)于茂德一事，世界先進(jìn)指出，該案投資謹(jǐn)慎評(píng)估價(jià)格、目前「球不再手中」，董座主因個(gè)人私事而未出席。而
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DRAM現(xiàn)貨價(jià)短期看漲
- 根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應(yīng)已正在逐步發(fā)酵當(dāng)中，在跌無可跌的前提之下，短時(shí)間內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格有機(jī)會(huì)帶動(dòng)一波價(jià)格的上漲走勢(shì)。目前各DRAM廠已有降低投資幅度、放慢制程轉(zhuǎn)進(jìn)時(shí)程的共識(shí)，冀望于2013年的首季過后，DRAM供需狀態(tài)逐步回到健康水位，有助于價(jià)格持續(xù)的提升以及總產(chǎn)值的復(fù)蘇。 在力晶(5346)、茂德、南科(2408)退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)后，全球DRAM產(chǎn)能形同減產(chǎn)，從今年高點(diǎn)的113萬片減少至10月的105萬片，減產(chǎn)幅度約為原先總產(chǎn)能
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臺(tái)灣4大DRAM廠上半年賠385億元
- 力晶30日公布上半年財(cái)報(bào)，稅后凈損85.99億元，每股凈損3.88元，比去年同期擴(kuò)大;加上南科、華亞科、瑞晶等3家同業(yè)上半年也都處于虧損，全臺(tái)灣4家DRAM廠上半年累計(jì)虧損高達(dá)385億元，比去年同期擴(kuò)增32.7%。 力晶已逐步轉(zhuǎn)型晶圓代工，降低標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器比重，第2季稅后凈損30.39億元，比第1季的稅后凈損55.6億元減少，反映轉(zhuǎn)型效益逐步發(fā)酵，但因公司減資導(dǎo)致股本縮小，第2季每股稅后凈損達(dá)2.88元，遠(yuǎn)比首季每股凈損1元超出甚多;上半年稅后凈損85.99億元，每股凈損3.88元。
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力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)
- 內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月營(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)。 力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后，積極邁開業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型步伐，該公司發(fā)言人譚仲民指出，代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進(jìn)展，與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程，已開發(fā)成功并進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù)，將
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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能
- 力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來，力晶仍會(huì)保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。 隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺(tái)塑 臺(tái)廠勿再死守DRAM
- 力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí)，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長(zhǎng)黃崇仁表示，不要再說臺(tái)灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷，同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科，臺(tái)廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè)，才有一起得救的機(jī)會(huì);再者，他也暗示面板業(yè)資金借貸遠(yuǎn)比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大，是政府和市場(chǎng)要重視之處。 力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas)，早期幫是做代工，后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶，力
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日本地震硅晶圓廠受損
- 日本東北震災(zāi)至今已過一個(gè)半月，由于原物料供應(yīng)可能短缺的疑慮下，DRAM產(chǎn)業(yè)亦掀起搶料大作戰(zhàn)，其中又以受創(chuàng)較為嚴(yán)重的硅晶圓供應(yīng)為最。受到地震沖擊下，先前傳出有硅晶圓取得有困難的廠商，除了獲得廠商支持與手上庫存因應(yīng)下，目前投片能見度大都已經(jīng)至六月份無太大問題，如爾必達(dá)及瑞晶的硅晶圓供應(yīng)大都來自受創(chuàng)最為嚴(yán)重的信越福島廠，但在信越化學(xué)全力支持及硅晶圓轉(zhuǎn)為供應(yīng)較為穩(wěn)定的Polish等級(jí)，讓整體爾必達(dá)集團(tuán)投片能見度可望至六月甚至七月，硅晶圓斷鏈的機(jī)會(huì)性將大幅降低。
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臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價(jià)
- 臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力;與韓國(guó)處于高度競(jìng)爭(zhēng)的DRAM廠表示，若新臺(tái)幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競(jìng)爭(zhēng)上的確區(qū)居下風(fēng)，不過臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，匯率是影響競(jìng)爭(zhēng)力因素之一，但絕不是影響臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的最關(guān)鍵因素，主要因素還是在售價(jià)。
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力晶介紹
力晶于八十三年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū)，業(yè)務(wù)范圍涵蓋動(dòng)記憶體制造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在臺(tái)灣正式掛牌上柜。八十八年發(fā)行全球存托憑證，成為我國(guó)第一家在盧森堡證券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶擁有六千一百位員工，資本額達(dá)新臺(tái)幣七百八十二億元，年度營(yíng)收為新臺(tái)幣七百七十五億元。
為提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力及科技實(shí)力，力晶在設(shè)立之初即和日本三菱電機(jī)締結(jié)技術(shù)、生產(chǎn)與銷售的策略聯(lián)盟； [ 查看詳細(xì) ]
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