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海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

作者：時間：2009-12-15 來源：賽迪網(wǎng)

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　　據(jù)《韓國時報》報道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/101253.htm

　　這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。

　　這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報道還預(yù)計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。

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關(guān)鍵詞： 海力士 DRAM 內(nèi)存芯片

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