內(nèi)存芯片文章進(jìn)入內(nèi)存芯片技術(shù)社區(qū)

芯片制造轉(zhuǎn)移，價格大變

7 月，處在 2024 年中，不僅是上下半年的過渡期，也是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期，因?yàn)樾袠I(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走，根據(jù)各大市場研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測，2024 上半年依然處于恢復(fù)期，下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過渡期的 6、7 月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演，芯片價格也隨之變化。晶圓代工轉(zhuǎn)單加劇臺積電最新財報顯示，2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達(dá)到 65%，中國大陸市場則急速拉升至 16
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

2 月 5 日消息，據(jù)報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個引
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全球芯片供應(yīng)持續(xù)過剩三星第三季度營業(yè)利潤或下滑80%

10月10日消息，因受到全球芯片供應(yīng)持續(xù)過剩的影響，三星電子的“搖錢樹”業(yè)務(wù)第三季度可能出現(xiàn)巨額虧損，營業(yè)利潤預(yù)計(jì)將較上年同期下降80%。作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商，三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績。LSEG SmartEstimate對19位分析師進(jìn)行的調(diào)查顯示，在第三季度，三星電子的營業(yè)利潤可能降至2.1萬億韓元（約合15.6億美元）。相比之下，去年第四季度的營業(yè)利潤為10.85萬億韓元（約合80億美元）。三星營業(yè)利潤大幅下滑的原因是，由于內(nèi)存芯片價格未能像部分人預(yù)期的那樣迅速回
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三星第二季度營業(yè)利潤或暴跌96% 降至14年來最低水平

7月6日消息，據(jù)分析師預(yù)測，三星電子公司第二季度營業(yè)利潤可能會較上年同期下滑96%，為14年來最低水平。理由是，盡管供應(yīng)有所減少，但芯片供應(yīng)過剩仍在繼續(xù)導(dǎo)致這家科技巨頭的“搖錢樹”出現(xiàn)巨額虧損。金融研究機(jī)構(gòu)Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查顯示，作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商，三星今年第二季度的營業(yè)利潤可能降至5550億韓元（約合4.26億美元）。如果分析師們的預(yù)測準(zhǔn)確，這將是三星自2008年第四季度以來的最低營業(yè)利潤，當(dāng)時三星電子公布了約7400億韓
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無需3nm工藝全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC問世：功耗低至1毫安

臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片，相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同，存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計(jì)算核，相對于NPU、DSP
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美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無需再用昂貴的EUV光刻機(jī)

內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級內(nèi)存，但有更細(xì)節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機(jī)。不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實(shí)現(xiàn)了35%的存儲密度提升，同時省電15%。
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。　　1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！　∫粋€值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。　　這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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消息稱Intel欲出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)：SK海力士100億美元接手

據(jù)外媒最新消息稱，Intel可能出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)，而接盤者是SK海力士，價格是100億美元。報道中提到，這家半導(dǎo)體巨頭將對自己進(jìn)行重新定位，遠(yuǎn)離一個具有歷史重要性、但正日益受到挑戰(zhàn)的領(lǐng)域。消息人士稱，這兩家公司正就上述交易展開討論，最快可能會在周一宣布，前提是雙方之間的談判不會在最后時刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細(xì)節(jié)信息，如SK海力士具體將收購什么業(yè)務(wù)等。Intel旗下內(nèi)存芯片部門生產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)品，主要用于硬盤、拇指驅(qū)動器和相機(jī)等設(shè)備。由于閃存價格下跌的緣故，Intel一直都在考慮退出這項(xiàng)業(yè)務(wù)。雖然
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疫情刺激內(nèi)存芯片需求三星第一季度利潤或保持不變

據(jù)外媒報道，新冠病毒的全球大流行推動了在家辦公的浪潮，這種轉(zhuǎn)變勢必會提振筆記本電腦制造商以及數(shù)據(jù)中心對三星電子內(nèi)存芯片的需求。但與此同時，由于疫情削弱了消費(fèi)電子產(chǎn)品的銷售，三星電子第一季度的利潤可能會保持不變。
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加州理工開發(fā)出可瞬間存儲數(shù)據(jù)的光量子內(nèi)存芯片

　　據(jù)外媒報道，加州理工大學(xué)的研究人員們，已經(jīng)開發(fā)出了一款能夠以“光的形式”、“納米級速度”存儲量子信息的計(jì)算機(jī)芯片。這標(biāo)志著量子計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)的一項(xiàng)最新突破，在更小的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)更快的信息處理和數(shù)據(jù)傳輸。傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的內(nèi)存部件，只能將信息以“0”或“1”的形式存儲。盡管仍處于實(shí)驗(yàn)階段，但量子計(jì)算機(jī)的基本原理還是一樣的，即以“量子比特”來存儲數(shù)據(jù) —— 除了&ld
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2013年全球半導(dǎo)體總收入3181億美元

　　2014年4月25日市場研究機(jī)構(gòu)IHS稱，2013年的全球半導(dǎo)體收入增長了5%，其中表現(xiàn)最好的是內(nèi)存芯片產(chǎn)品。　　2013年半導(dǎo)體總收入達(dá)到3181億美元，較2012年的3031億美元增長5%，有效扭轉(zhuǎn)了這個行業(yè)的發(fā)展趨勢。2012年的半導(dǎo)體收入比2011年的3106億美元減少2.4%。　　規(guī)模最大的25家芯片廠商的營收總和達(dá)到2253億美元，占整個行業(yè)總收入的71%。營收最高的芯片廠商是英特爾，其2013年的營收為470億美元，對應(yīng)的市場份額為15%。　　IHS的副總裁戴爾福特(Dale
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內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣靠中國企業(yè)賺錢了

　　7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機(jī)需求增長，由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開始收獲金錢了。　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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內(nèi)存芯片工廠營收排名新美光追三星

臺系廠商部分，力晶(5346)營收季成長有38%，主要受益標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價格回升，加上代工業(yè)務(wù)穩(wěn)定成長，同時出售子公司瑞晶的股份，對力晶的財務(wù)狀況有明顯的挹注;南科(2408)、華亞科(3474)則拉高非標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出量;華邦電(2344)投片的比例也逐漸轉(zhuǎn)往Flash產(chǎn)品，未來預(yù)計(jì)將持續(xù)減少DRAM投片。
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三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

　為了適應(yīng)下代移動設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。

　　三星表示，新一代芯片將會包括16GB，32GB以及64GB等三個版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(jī)(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?
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內(nèi)存芯片介紹

　　簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片! 　　根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是: 　　具體含義解釋：　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。　　第2位——芯片類型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

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