<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 設(shè)計應(yīng)用 > 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制

          非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制

          作者:Roberto Bez,恒憶研發(fā)中心技術(shù)開發(fā)部研究員 時間:2009-12-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            非易失性()在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性的要求更高,數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度,而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/101459.htm

            經(jīng)過研究人員對技術(shù)的堅持不懈的研究,現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升,盡管如此,現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節(jié)點的新式存儲器機制和材料。

            目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制,相變存儲器(PCM)就是其中一個最被業(yè)界看好的非易失性存儲器,具有閃存無法匹敵的讀寫性能和升級能力。

            在室溫環(huán)境中,基于第六族元素的某些金屬(硫族化合物)的晶態(tài)和非晶態(tài)的穩(wěn)定性非常好。特別是GeSbTe合金最被看好,因為它遵守一個偽二元構(gòu)成方式(在GeTe和 Sb2Te3之間),以下簡稱GST。

            在基于硅的相變存儲器中,不同強度的電流經(jīng)過加熱器(電阻),到達硫化物材料,利用局部熱焦耳效應(yīng),改變接觸區(qū)周圍的可寫入容量(圖1)。在經(jīng)過強電流和快速猝滅后,材料被冷卻成非晶體狀態(tài),導(dǎo)致電阻率增大。切換到非晶體狀態(tài)通常用時不足100ns,單元的熱時間常量通常僅為幾納秒。若恢復(fù)接觸區(qū)的晶體狀態(tài),使材料的電阻率變小,需要施加中等強度的電流,脈沖時間較長。存儲單元寫入操作所用的不同電流產(chǎn)生了存儲器的直接寫入特性。這種直接寫入功能可簡化存儲器的寫入操作,提高寫入性能。

            使用比寫入電流低很多的且無重要的焦耳熱效應(yīng)的電流讀取存儲器,從而可以區(qū)別高電阻(非晶體)和低電阻(晶體)狀態(tài)。


          上一頁 1 2 下一頁

          關(guān)鍵詞: 恒憶 NVM 存儲器 浮柵存儲

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();