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          IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2009-12-17 來(lái)源:Semiconduct International 收藏

            研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡技術(shù),面向及以下節(jié)點(diǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/101470.htm

            在IEDM會(huì)議上, Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng),非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管,的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造的器件。

            該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新,包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入),以及提高的源漏架構(gòu)。

            該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的SOI晶圓。



          關(guān)鍵詞: IBM CMOS 22nm SOC

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