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          海力士：2010年DRAM供不應求
          
						
          
				作者：
				時間：2009-12-25
				來源：DigiTimes
				
				
				
				
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          　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/102043.htm

          　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩(wěn)定。
          

          　　隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND Flash芯片產(chǎn)能。此外，金鐘甲表示，2010年海力士在全球DRAM及NAND Flash芯片市場市占率均可望些微提升，然不愿透露具體數(shù)字。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            Hynix
                        存儲器
                        NAND
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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