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第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高

TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產能利用率外，其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續受供應商庫存降低，以及減產效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應商已降低供應此類別產品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術進一步升級及
關鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD

西部數據NAND Flash業務拆分最新進展，新任CEO揭曉

月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業務拆分后，將保留原名，專注經營核心HDD業務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤業務任命CEO。西部數據稱，現任西部數據全球運營執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執行長。圖片來源：西部數據西部數據與鎧俠合并進展如何？據悉，自2021年以來，西部數據及
關鍵字：閃存芯片 NAND Flash 西部數據

2023Q4 NAND 閃存行業產值環比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元，環比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續保持上漲，預估環比會繼續增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環比增加 35%，平均銷售價格環比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
關鍵字： NAND 閃存存儲市場分析

1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀今年業績回暖：存儲漲價是開始

2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
關鍵字：存儲三星鎂光海力士 NAND

一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%

供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
關鍵字： NAND Flash

預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統淡季需求呈現下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續擴大NAND Flash產品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產步伐不一，隨著部份供應商產能利用率提早拉升
關鍵字： NAND Flash TrendForce

SSD 正迎來量價齊升

2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲行情終在四季度發生逆轉，尤其以 Flash Wafer 為代表的產品在 9 月、10 月、11 月的價格連續上漲，站在目前的時間節點，雖然從需求端看完全改善還需時日，但在各大原廠積極減產的作用下，供應已經大幅度收緊。根據 CFM 閃存市場數據，自 10 月份以來，現貨市場 NAND Flash 價格指數漲幅已達 40%。近日西部數據更是直接打響了 NAND 大漲價的第一槍。NAND 大漲價！近日，全球第四大 NAND Flash 供應商西部數據對客戶發出漲價通知信。在信中
關鍵字： SSD NAND

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

日本東芝正式退市

據日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內基金“日本產業合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網發布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發明NAND閃存芯片。
關鍵字：東芝家電 NAND 閃存退市

集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環比增長 18-23%

IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規劃依然穩健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？

今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業也疲于應對蕭瑟的市場環境，不斷傳出減產、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經理 Rudy Tor
關鍵字： NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片

300層之后，3D NAND的技術路線圖

開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
關鍵字： 3D NAND

存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時代

IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現，以及特定應用市場的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
關鍵字：閃存 DRAM NAND

越便宜越沒人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

11月22日消息，據TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產，導致整個行業價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
關鍵字： SSD 固態硬盤閃存 NAND

一文看懂TSV技術

前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互聯技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
關鍵字：芯片 TSV HBM NAND 先進封裝

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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FORESEE-SPI-NAND-Flash產品詳情
AT32使用SPI外設驅動nand flash
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