英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協議

　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。

　　通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協議的具體條款和條件保密。

　　英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。

　　作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判。英飛凌認為，這些談判對持續(xù)保護其知識產權和商業(yè)利益至關重要。