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          英飛凌 文章 進入英飛凌技術社區

          英飛凌年度股東大會批準每股派息0.35歐元;監事會成員變動:Ute Wolf與Hermann Eul博士教授當選為監事會成員

          • 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)第24屆年度股東大會于近日結束。整個會議在線上舉行,并通過公司網站公開播放。會議期間股東可以在線發言和提問。 英飛凌管理委員會 每股派息0.35歐元年度股東大會遵照管理委員會和監事會關于利潤分配的建議,批準每股派息0.35歐元,較上一年高出3歐分,增長了近10%。 Ute Wolf與Hermann Eul博士教授當選為監事會成員根據法院命令,Ute Wolf于2023年4月22
          • 關鍵字: 英飛凌  

          英飛凌啟動有限股票回購計劃,履行現有員工參與持股計劃責任

          • 2023年9月15日,全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)管理委員會經監事會批準,決定通過證券交易所回購多達700萬股股票(ISIN DE0006231004),回購總價(不含附帶成本)高達3億歐元。 此次回購由一家獨立信貸機構代表英飛凌通過法蘭克福證券交易所的Xetra交易進行,定于2024年2月26日開始,并在2024年3月28日前(含當日)完成?;刭彽哪康氖歉鶕F行的員工持股計劃,向公司或關聯公司員工、公司管理委員會成員以及關
          • 關鍵字: 英飛凌  

          Wolfspeed 8英寸SiC襯底產線一期工程封頂

          • 3月28日消息,當地時間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長晶爐設備進場,預計2024年底將完成一期工程建設,2025年上半年開始生產,預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協議,查塔姆工廠的投建將為這些協議提供支持,同
          • 關鍵字: 碳化硅  Wolfspeed  SiC  瑞薩  英飛凌  

          英飛凌參加2024年美國國際電力電子應用展覽會

          • 全球功率系統和物聯網領域的領導者英飛凌科技股份公司于2月25日至29日參加2024年美國國際電力電子應用展覽會(APEC),并重點展示其在業界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能效和高功率密度等特性,是應對氣候變化和加速低碳化的關鍵驅動因素。英飛凌一流的產品組合囊括了各種面向領先應用的功率半導體器件,全面覆蓋硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)三種半導體材料。英飛凌在1013號和1319號(英飛凌+GaN?系統)展臺展示豐富的產品及其廣泛的應用。1013號展臺根據應用領域的不
          • 關鍵字: 英飛凌  電力電子應用展覽會  APEC  

          Ekkono邊緣機器學習簡化了在英飛凌AURIX? TC3x和TC4x上為汽車應用部署AI的過程

          • 不同汽車的獨特性給汽車零部件供應商和OEM廠商等帶來了挑戰,因為每輛車的駕駛方式、駕駛地點、駕駛者、設計、用途以及道路和交通狀況都是獨一無二的。為保證每輛汽車都能正常運行并達到出色運行狀態,需要掌握并管理汽車及其狀況。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)?AURIX?微控制器(MCU)系列所提供的先進實時計算硬件適用于安全關鍵型汽車應用中的嵌入式AI等用例。為了充分利用這些強大的功能,英飛凌生態系統合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款簡單易用且快
          • 關鍵字: Ekkono  邊緣機器學習  英飛凌  AURIX  

          貿澤開售英飛凌CYW20822 AIROC低功耗藍牙模塊

          • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入(NPI)代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售英飛凌CYW20822?AIROC?低功耗藍牙模塊。CYW20822模塊結構緊湊,支持低功耗藍牙長距離?(LE-LR)?功能,可實現無縫集成并提高性能。CYW20822模塊出色地結合了低功耗和高性能,提供可實現成本優化的無線連接解決方案,可支持各種低功耗藍牙長距離用例,包括工業物聯網(IIoT)應用、智能家居、資產跟蹤、信標和傳感器,以及醫療設備。貿澤供應
          • 關鍵字: 貿澤  英飛凌  低功耗藍牙模塊  

          英飛凌推出低成本低功耗長距離藍牙模塊CYW20822-P4TAI040

          • 英飛凌科技股份公司近日宣布推出最新款藍牙模塊CYW20822-P4TAI040,在低功耗與覆蓋范圍等方面實現了新的突破,推動物聯網和消費電子領域的無線連接技術進一步發展。該模塊相比同類產品有更高的性價比,通過支持藍牙低功耗長距離傳輸(LE-LR)增強了性能,具有出色的可靠性,能夠無縫集成且支持各種應用。英飛凌的CYW20822-P4TAI040藍牙模塊集低功耗和高性能于一身,可支持包括工業物聯網應用、智能家居、資產追蹤、信標和傳感器、以及醫療設備在內的所有藍牙LE-LR應用場景。ABI Research最
          • 關鍵字: 英飛凌  藍牙模塊  

          英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率樹立行業新標準

          • 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列,使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益于用于服務器、電信、儲能系統(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外,憑借寬安全工作區(SOA)和業界領先的RDS(on),該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
          • 關鍵字: 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  

          英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

          • 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列,使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益于用于服務器、電信、儲能系統(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外,憑借寬安全工作區(SOA)和業界領先的RDS(on),該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產
          • 關鍵字: 英飛凌  OptiMOS  6200V  MOSFET  

          英飛凌車輛制動穩定性控制產品應用

          • 英飛凌的車輛制動穩定性系統,無疑是現代車輛安全技術的一大里程碑。該系統不僅具備縮短制動距離的能力,更能在緊急情況下確保車輛始終保持在受控狀態,從而極大地提升了各類車輛在行駛過程中的安全性。然而,當前市場上眾多車輛穩定性控制系統往往因為過于依賴特定客戶的設計,導致性價比不盡如人意。在此背景下,英飛凌致力于打破這一困境,研發出符合高安全性要求的標準器件,以滿足廣大客戶對高性價比解決方案的迫切需求。在汽車行業中,英飛凌的控制器和輪速傳感器早已成為市場上的佼佼者。其豐富的產品組合中,不僅涵蓋了各種針對安全應用的汽
          • 關鍵字: 英飛凌  汽車  車輛制動  微控制器  

          如何測量功率回路中的雜散電感

          • 影響IGBT和SiC MOSFET在系統中的動態特性有兩個非常重要的參數:寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法,包括直流母線電容的寄生電感,直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里?圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖,主要包括三類:連接母排及功率回路中的寄生電感,IGBT模塊內部寄生電感,直流母線電容寄生電感,分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
          • 關鍵字: 英飛凌  雜散電感  

          英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展

          • 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用于典型的工業應用(包括電動汽車充電、工業驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等)和汽車領域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉換器等)
          • 關鍵字: 英飛凌  CoolSiC  

          英飛凌將Qt圖形用戶界面集成到其微控制器中

          • Source:?Getty Images/metamorworks根據1月16日發布的一篇新聞稿,英飛凌科技日前與Qt集團合作,將Qt的圖形用戶界面(GUI)框架集成到其微控制器(MCU)中。此次合作旨在將Qt的輕量級高性能圖形框架無縫集成到英飛凌支持圖形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集團微控制器產品總監主管Toni Paila表示:“當今的全球半導體市場競爭非常激烈,全球制造商正在不斷尋找辦法,以期盡可能快地將他們的產品推向市場。全球微控制器的開發周期不斷縮短就是最好的證明。但即使
          • 關鍵字: 英飛凌  Qt  圖形用戶界面  微控制器  MCU  

          英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

          • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,電氣間隙為5
          • 關鍵字: 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

          英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統

          • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續發揮碳化硅的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
          • 關鍵字: 英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  
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          英飛凌介紹

          英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,至今在世界擁有35,600多名員工,2004財年公司營業額達71.9億歐元,是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者,英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發,全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]

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