2002年11月，我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實(shí)現(xiàn)零突破

　　2002年11月，中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶，實(shí)現(xiàn)了我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。