三星批準7868億韓元晶片投資項目
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該公司在遞交給監(jiān)察機構的聲明中指出,上述措施主要是為了滿足閃存記憶體晶片市場日益成長的需求。
該公司的女發(fā)言人單獨表示,上述投資是三星電子公司明年資本開支預算的一部分。她表示,三星電子計畫使用上述投資升級其閃存及DRAM生產(chǎn)線。
三星電子尚未公布其2006年的資本開支計劃。2005年,該公司預計其資本開支將在10萬2700億韓元左右。
因預期NAND閃存記憶體晶片需求將更加強勁,2006年全球記憶體晶片生產(chǎn)商都將延續(xù)其強勁的資本開支成長步伐,對其設備和工廠進行升級,但隨著DRAM市場的成長趨緩,資本開支的成長速度將所有有所減慢。
美林證券預計,三星電子2006年的資本開支將增加5%,至168億4000萬美元;先前的預期為成長26%,至160億1000萬美元。
DRAM晶片廣泛應用於個人電腦數(shù)據(jù)存儲領域,而NAND閃存記憶體晶片 -- 在斷電的情況下仍能存儲數(shù)據(jù) -- 則廣泛應用於MP3播放器和數(shù)位相機等消費電子產(chǎn)品。若根據(jù)營收計算,三星電子是世界上最大的DRAM和NAND閃存生產(chǎn)商。
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