<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 元件/連接器 > 歷史上的今天 > 2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

          2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

          作者: 時間:2010-01-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            2004年6月7日,發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率。與先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設(shè)計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/104953.htm


          關(guān)鍵詞: 瑞薩 MOSFET Renesas

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();