日立與瑞薩推出相位轉(zhuǎn)換存儲器原型

    日立(Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程。與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50%。

    據(jù)介紹，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在下一代微控制器中為諸如信息設(shè)備、家用電器，以及車載設(shè)備和控制系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用的片上編程和數(shù)據(jù)存儲提供一種頗具前途的解決方案。
    該原型單元采用130nm CMOS工藝制造，其結(jié)構(gòu)采用了MOS晶體管和一層在熱響應(yīng)中呈非晶體狀態(tài)(高阻抗)或晶狀(低阻抗)的相位轉(zhuǎn)換薄膜。兩種狀態(tài)的編程通過180nm直徑的鎢下電極接點(diǎn)(BEC)實(shí)現(xiàn)。在一次讀操作中，存儲的數(shù)字(1或0)信息是由薄膜中電流流動量的差別決定的。
    為了獲得突破性的功耗效果，日立和瑞薩的研究人員開發(fā)了一種原創(chuàng)的具有低電壓編程能力的低電流相位轉(zhuǎn)換薄膜。他們利用一種受控制的鍺-銻-碲(GeSbTe)氧摻雜材料生長出了這種薄膜。氧摻雜能夠使相位轉(zhuǎn)換薄膜的阻抗限制在一個(gè)理想的水平，同時(shí)可抑制編程期間過大的電流流過。此外，該單元的實(shí)現(xiàn)可以減少形成這些單元的MOS晶體管的門寬度，以及驅(qū)動輸出MOS晶體管的數(shù)量，從而有助于縮小存儲器單元和驅(qū)動電路的尺寸。