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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品

作者：時間：2010-02-11 來源：semiconductor

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　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品.

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/106059.htm

　　按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品

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