傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

　　消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。

　　報道稱，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計劃。

　　市場調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱，全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。憑借第三季度的營收增長，東芝在全球NAND閃存營收中所占的份額從第二季度的29.4%，增加到34.6%，從而鞏固了其在該市場上第二的位置。

　　自去年年初以來，NAND閃存的平均銷售價格一路上漲，原因是NAND閃存供應(yīng)商削減產(chǎn)能，應(yīng)對2008年第四季度和2009年第一季度市場供大于求的局面。去年第二季度，NAND閃存平均銷售價格上漲了18.5%，第三季度上漲了40%。與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)低迷的狀況形成鮮明對比，iSuppli預(yù)計去年全球NAND閃存市場營收將增長16.4%，而全球半導(dǎo)體市場營收將下降12.4%。