半橋拓撲結構高端MOSFET驅(qū)動方案選擇:變壓器還是硅芯片?
總結:
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/106961.htm對于需要高能效的應用而言,采用軟開關技術的半橋拓撲結構越來越受設計人員青睞。但要驅(qū)動半橋拓撲結構中的高端MOSFET,設計人員面臨著是選擇變壓器或是硅芯片等不同驅(qū)動方案的選擇。本文分析了不同驅(qū)動方案的設計考慮因素、相關問題及解決之道,并從多個角度對比了這兩種驅(qū)動方案。盡管精心設計的話,這兩種驅(qū)動方案都可以良好工作,但安森美半導體建議選擇諸如NCP5181這樣的硅芯片驅(qū)動方案,在簡化布線及設計的同時,也可避免變壓器驅(qū)動方案的諸多問題,幫助設計人員縮短設計周期,加快產(chǎn)品上市進程。
參考資料:
1、半橋驅(qū)動器:采用變壓器還是全硅驅(qū)動,安森美半導體培訓教程, www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf
2、NCP5181數(shù)據(jù)手冊,http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF
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