<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 半橋拓撲結構高端MOSFET驅(qū)動方案選擇:變壓器還是硅芯片?

          半橋拓撲結構高端MOSFET驅(qū)動方案選擇:變壓器還是硅芯片?

          作者: 時間:2010-03-16 來源:安森美半導體 收藏

            總結:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/106961.htm

            對于需要高能效的應用而言,采用軟開關技術的半橋拓撲結構越來越受設計人員青睞。但要驅(qū)動半橋拓撲結構中的高端,設計人員面臨著是選擇或是等不同驅(qū)動方案的選擇。本文分析了不同驅(qū)動方案的設計考慮因素、相關問題及解決之道,并從多個角度對比了這兩種驅(qū)動方案。盡管精心設計的話,這兩種驅(qū)動方案都可以良好工作,但半導體建議選擇諸如NCP5181這樣的驅(qū)動方案,在簡化布線及設計的同時,也可避免驅(qū)動方案的諸多問題,幫助設計人員縮短設計周期,加快產(chǎn)品上市進程。

            參考資料:

            1、半橋驅(qū)動器:采用還是全硅驅(qū)動,半導體培訓教程, www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf

            2、NCP5181數(shù)據(jù)手冊,http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF


          上一頁 1 2 3 4 下一頁

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();