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          全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-04-23
				來(lái)源：驅(qū)動(dòng)之家
				
				
				
				
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          　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/108311.htm

          　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32GB RDIMM/LR DIMM服務(wù)器內(nèi)存(36顆DDP雙層堆疊封裝顆粒)，或8GB ECC內(nèi)存(18顆顆粒)，或單條 8GB的SO-DIMM筆記本內(nèi)存(16顆顆粒)上，也將向消費(fèi)電子產(chǎn)品廠商出貨單顆DIMM顆粒。預(yù)計(jì)該顆粒將于今年二季度內(nèi)在爾必 達(dá)廣島工廠開始試產(chǎn)，三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            爾必達(dá)
                        40nm
                        CMOS
                        DDR3
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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