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          DDR3內(nèi)存正式終結(jié)!三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20%

          • 5月15日消息,據(jù)市場消息稱,三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術、性能上已經(jīng)落伍,PC、服務器都不再使用,但因為非常成熟,功耗和價格都很低,在嵌入式領域依然大有可為,尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡交換機等。但對于芯片廠商來說,DDR3利潤微薄,無利可圖,形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下,HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升,產(chǎn)能遠遠無法滿足,2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿,HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
          • 關鍵字: 存儲  DDR3  三星  SK海力士  

          「落后」的內(nèi)存要大幅漲價,中國廠商迎來商機

          • 當下,AI 服務器系統(tǒng)和應用最為火爆,其對 DDR5 和 HBM 的需求量大增,因此,在全球內(nèi)存市場,DDR5 和 HBM 成為大宗存儲器市場的寵兒。AI 大模型持續(xù)迭代升級,參數(shù)持續(xù)增長,大模型的參數(shù)規(guī)模越大,算力負擔越重,而 AI 服務器是算力的核心。2023 年,AI 服務器出貨量近 120 萬臺,年增 38.4%,占整體服務器出貨量的 9%,按照這個勢頭發(fā)展下去,2026 年將占到 15% 的市場份額。更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內(nèi)存支持。針對 AI 服務器的高性能要求,更強大的內(nèi)存——DD
          • 關鍵字: DDR3  

          第三季利基型DRAM價格持平,DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

          •   根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調(diào)查,DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價,價格大致和6月相同。展望第三季,預期DDR4利基型內(nèi)存報價水平將較接近主流標準型與服務器內(nèi)存,因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu),報價預期沒有明顯變動。整體而言,第三季利基型內(nèi)存價格走勢預估將持平?! DR3具成本優(yōu)勢,短期仍為利基型記內(nèi)存主流  就產(chǎn)品應用種類觀察,首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視,今年出貨量持穩(wěn),約為2.157億臺。不過
          • 關鍵字: DRAM  DDR3  

          內(nèi)存狂漲價:臺灣南亞量產(chǎn)DDR3/4

          •   內(nèi)存價格持續(xù)上漲,主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應嚴重不足,而且整個2018年都不會緩和。   其實在臺灣還有一家DRAM廠商南亞科技,只是市場規(guī)模偏小而已。DRAM市場需求如此旺盛的情況下,南亞也積極動手了,首先已經(jīng)開始量產(chǎn)20nm4GbDDR3顆粒,今年第四季度還會量產(chǎn)20nm8GbDDR4。   DDR4的時代為何還要大規(guī)模生產(chǎn)DDR3?主要還是DDR4產(chǎn)能即便再怎么擴充,也需要時間,一時半會不可能緩解,而在很多領域,DDR3仍然有很大的需求。   最近不少主板廠商
          • 關鍵字: 內(nèi)存  DDR3  

          DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別

          • DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存,其實只是規(guī)格上的提高,并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好,而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個容量,4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當市場需求超過4GB的時候,64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。
          • 關鍵字: DDR3  DDR2  內(nèi)存  CPU  

          DDR4內(nèi)存的未來

          • 我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展,已經(jīng)成為目前主流的選擇,而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133,明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn),預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳,可以達到4266的水平.
          • 關鍵字: DDR4內(nèi)存  Intel  DDR3-2133  

          DDR3存儲器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應用

          • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而,和過去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點,使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器是非常重要的。視屏處理應用就是一個很好的示例,說明了DDR3存儲器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
          • 關鍵字: DDR3  存儲器  IP  接口控制器  

          DDR4陣營持續(xù)擴大 將首度超越DDR3

          •   第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來,銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同,當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%,大幅拉近與DDR3占比間的距離。   調(diào)研機構(gòu)ICInsights預估,隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏,預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%,首度超越DDR3的39%,正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
          • 關鍵字: DDR4  DDR3  

          FPGA與DDR3 SDRAM的接口設計

          • DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz),1.5V的低功耗工作電壓,采用90nm制程達到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大,每比特的功耗也更低,但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DI
          • 關鍵字: SDRAM  FPGA  DDR3  接口設計    

          基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設計

          • 引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺,設計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。1 總體架構(gòu)設計機載視頻圖形顯示系
          • 關鍵字: 存儲器控制  多端口  幀地址  DDR3  FPGA  

          iSuppli明年第2季DDR3躍登DRAM市鮒髁

          • 根據(jù)市場研究機構(gòu) iSuppli 的最新預測,DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球 DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。以單位出
          • 關鍵字: 微處理器  DDR3  Nehalem   

          基于FPGA的DDR3控制器設計

          • 基于FPGA的DDR3控制器設計,摘要 介紹了DDR3 SDRAM的技術特點、工作原理,以及控制器的構(gòu)成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上,實現(xiàn)了控制器的設計方法,并給出了ISim仿真驗證結(jié)果,驗證了該設計方案的可行性。DDR3 SDRAM
          • 關鍵字: FPGA  DDR3 SDRAM控制器  MIG  ISim  

          Xilinx MIG IP核的研究及大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的實現(xiàn)

          • 為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開發(fā)中,本文對XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進行了分析研究,并在此基礎上實現(xiàn)了大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的邏輯設計。通過對系統(tǒng)中各模塊的作用及相互間關系的研究,發(fā)現(xiàn)該控制器256位接口對工程開發(fā)十分不便,通過創(chuàng)建FIFO控制系統(tǒng)和讀寫接口FIFO的方式,將接口轉(zhuǎn)換為64位。該方案對控制核重新構(gòu)建并上板測試,均符合高速數(shù)據(jù)傳輸緩存的要求,使DDR3成為一個大容量且可控的高速FIFO。
          • 關鍵字: MIG核  FIFO  DDR3 SDRAM  201608  

          基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設計

          •   機載視頻圖形顯示系統(tǒng)主要實現(xiàn)2D圖形的繪制,構(gòu)成各種飛行參數(shù)畫面,同時疊加實時的外景視頻。由于FPGA具有強大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點,基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求,因此需要配置外部存儲器。   與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此選擇DDR3 SDRAM作為機載視頻圖形顯示系統(tǒng)的外部存儲器。   本文以
          • 關鍵字: FPGA  DDR3  

          小改變大不同 揭秘DDR4內(nèi)存與DDR3區(qū)別

          • DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來,至今已經(jīng)走過了8個年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來說,內(nèi)存發(fā)展可謂相當緩慢。不過好在2014年底,各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)品,起跳頻率達到2133MHz,標志著DDR3時代的終結(jié)。
          • 關鍵字: DDR4  DDR3  
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          ddr3介紹

          目錄概述 設計 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術改進 概述   針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:   (1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓,在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。   (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細 ]

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