歐洲低功耗納電子研究項目啟動
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隨著65nm以下制造技術(shù)的芯片的快速發(fā)展,降低泄漏電流成為一個越來越重要的問題。電路設(shè)計工程師承認,如果不能找到并采用一個適當?shù)膶Σ?,泄漏電流將是影響下一代電路及系統(tǒng)呈現(xiàn)精彩紛呈的應用性能的主要障礙。
要想在市場上取得成功,進而在65nm以下的芯片制造能力上居領(lǐng)先水平,如何降低泄漏電流著一問題,必須在設(shè)計范疇內(nèi)得到解決,因為連續(xù)的改進制造工藝無法克服下一代半導體產(chǎn)品不斷上升的泄漏電流。
在這個項目下開發(fā)出來的新一代泄漏功率模型、設(shè)計方法及技術(shù)和原型EDA(電子設(shè)計自動化)工具可望能夠有效處理泄漏問題,即便是在非常復雜的系統(tǒng)中,也能最大限度地降低功率泄漏。
在CLEAN項目內(nèi),ST將管理協(xié)調(diào)一個由14個歐洲合作伙伴組成的研發(fā)聯(lián)盟的全部活動,這些成員組成了一個獨一無二的技術(shù)能力組合(半導體廠商、EDA廠商和享譽全球的科研院所),同時,ST還可以適當?shù)卣{(diào)配所需資源,以確保全部的項目目標都能取得成功。
“ CLEAN項目將有助于解決65nm以下技術(shù)節(jié)點的技術(shù)缺陷,特別是泄漏電流、制程變異性和可靠性低等技術(shù)難題,”CLEAN項目的負責人意法半導體先進系統(tǒng)技術(shù)部研發(fā)項目經(jīng)理Roberto Zafalon表示,“這個項目的開發(fā)成果將有助于降低下一代芯片的功耗,同時還能提高設(shè)計效率,進而加強對這些芯片的更高復雜性的管理能力?!?nbsp;
CLEAN項目的開發(fā)成果預計會跨躍從建模到優(yōu)化、從設(shè)計方案到設(shè)計方法及工具等低泄漏設(shè)計的不同層面。因為項目參與者的特殊的技術(shù)能力組合,以及歐洲委員會的大力支持,CLEAN的開發(fā)成果將會給歐洲納電子行業(yè)在不同應用領(lǐng)域(如消費電子和EDA工具)的進步帶來巨大的商機。
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