聯(lián)電、爾必達、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)

　　隨著半導(dǎo)體微縮制程演進，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達則仍專注于存儲器領(lǐng)域，而力成則提供上述2家公司所需的封測服務(wù)，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯(lián)手合作的首宗案例。

　　爾必達、力成和聯(lián)電將于21日在聯(lián)電聯(lián)合大樓舉行技術(shù)合作協(xié)議簽訂記者會。據(jù)了解，3家公司的董事長、執(zhí)行長和技術(shù)長皆會親自出席，包括爾必達社長坂本幸雄、技術(shù)長五味秀樹，力成董事長蔡篤恭、總經(jīng)理廖忠機和技術(shù)本部總技術(shù)長巖田隆夫，以及聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉、先進開發(fā)技術(shù)副總經(jīng)理簡山杰等重量級人物，顯見3家公司對此次記者會十分重視。

　　目前TSV 3D IC技術(shù)最主要應(yīng)用仍為CMOS Image Sensor及部分微機電系統(tǒng)(MEMS)相關(guān)產(chǎn)品的制造。聯(lián)電對于邏輯IC方面的堆疊也相當有興趣，該公司在5月20日30周年慶時，即由簡山杰對外說明該公司在特殊技術(shù)的開發(fā)成果，其中在TSV 3D IC方面，簡山杰說，其優(yōu)點在于運用不同的IC，使元件更小、效能更高。該公司采先鉆孔(Via First)為主要開發(fā)方向，提供芯片間更短及更低電阻的導(dǎo)線連接技術(shù)，符合下一世代高效能IC需求。

　　根據(jù)統(tǒng)計，隨著TSV加工技術(shù)進步，與加工成本下滑，采用TSV 3D IC技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量市占比重會大幅提高，其中DRAM與Flash等存儲器產(chǎn)品更占TSV 3D IC出貨過半比重，因此三星電子(Samsung Electronics)、爾必達等日、韓系存儲器大廠已投入TSV 3D IC技術(shù)研發(fā)。據(jù)了解，爾必達已于2010年量產(chǎn)。

　　后段廠力成近年來積極切入3D IC領(lǐng)域，該公司董事長蔡篤恭日前曾表示，該公司與客戶(應(yīng)指爾必達)已經(jīng)合作開發(fā)將近2年的時間，并已斥資新臺幣10億~20億元設(shè)置產(chǎn)線。而力成與爾必達合作關(guān)系密切，隨著爾必達已經(jīng)量產(chǎn)，力成也將會配合提供后段的服務(wù)，將以后鉆孔(Via Last)技術(shù)為主。

　　TSV 3D IC電氣特性雖佳，但技術(shù)難度較高，蔡篤恭當時預(yù)估該公司在TSV 3D IC技術(shù)將在2010~2011年進入送樣階段，最快2012年量產(chǎn)。