Sokudo早餐會上論光刻技術趨勢

　　在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現(xiàn)22nm的各類光刻技術的進展、挑戰(zhàn)與未來市場前景進行了熱烈的討論。

　　作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發(fā)貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰(zhàn)。另外，為了達到工業(yè)使用指標急需投入大筆資金。

　　Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑) 浸入式光刻技術。實際上，具更高出貨量(>200mph) 的1.35NA光刻機己經(jīng)準備推向市場，它采用傾斜分割(pitch division) 方法與間距淀積已能應用于小于22nm的光刻節(jié)點。

　　在論壇上第三種可能技術是無掩模光刻技術。Mapper Lithography是一家位于荷蘭的公司，它們對于該類技術的現(xiàn)狀及進展提出了報告。兩種平臺的設備己經(jīng)在臺積電與法國的CEA-Leti潔凈廠房中安裝。第二種平臺的開發(fā)工作正與由CEA Leti領導于2009年才推出的IMAGEINE程序共同完成。

　　隨著研發(fā)計劃的發(fā)展需要，臺積電與STMicronelectronics是參加IMAGEINE合作計劃的第一及第二個IC制造商。目前Sokudo，TOK，Dow Electronic Materials及JSR都加入到CEA-Leti領導的開發(fā)計劃之中，目的能盡快推出工業(yè)用設備以趕上工業(yè)路線圖的需要。

　　在論壇結束時Sokudo提出它的未來涂膠與顯影軌道設備的規(guī)格。通過在兩次圖形曝光，EUV及無掩模光刻的技術合作Sokudo將繼續(xù)推動各種未來的光刻技術發(fā)展來滿足市場需求。

　　Laurent Pain 于1996年加入CEA Leti做紅外技術，于1999年被分配到微電子部做193nm及電子束光刻膠工藝。在2000年它加入STMicronelectronics的Crolles廠完成第一個193nm 光刻單元和之后它在ST的Crolles2的制造基地邦助完成電子束直接寫入光刻單元。后于2008又回到Leti并被任命為光刻部經(jīng)理。

　　Didier Louis于1985年加入CEA Leti，先后在微電子研究所擔任各種角色。在2000年它作為腐蝕與去膠研發(fā)實驗室經(jīng)理，并從2004年1月到2007年12月他被任命為BEOL實驗室副經(jīng)理。在2008年他被任命為Leti 材料與先進模塊實驗室的副經(jīng)理及納米電子部的公共關系部經(jīng)理。在2010年Didier被任命為Leti 的國際通訊部經(jīng)理。

　　有關Sokudo：2006年6月消息，應用材料Applied Materials與日本的迪恩士電子Dainippon Screen攜手合作成立Sokudo公司，將專注于開發(fā)與銷售半導體制造所需要的track(涂膠與顯影等)設備，Applied Materials希望藉此進入新的市場。Sokudo總部設于日本京都，DNS擁有52%的股權，Applied Materials擁有48%。DNS將把該公司現(xiàn)有的track業(yè)務與相關智慧財產(chǎn)權帶入新公司，包括員工、產(chǎn)品;另一方面，Applied Materials也將投入技術、智慧財產(chǎn)權、員工與1億5100萬美元。DNS將承包Sokudo的委外制造業(yè)務。