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          三星量產(chǎn)全球首款30nm級(jí)工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-07-22
				來(lái)源：驅(qū)動(dòng)之家
				
				
				
				
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          　　三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級(jí)工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱(chēng)，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計(jì)算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號(hào)稱(chēng)比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級(jí)工藝的DDR3也要快1.55倍。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/111105.htm

          　　該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級(jí)工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級(jí)工藝4GB DDR3內(nèi)存條相比50nm級(jí)2GB DDR3內(nèi)存條速度快60%、功耗低65%。
          

          　　三星會(huì)很快將這種30nm級(jí)工藝內(nèi)存顆粒投入全面應(yīng)用，生產(chǎn)4/8/16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條、2/4/8GB UDIMM工作站和桌面內(nèi)存條、2/4/8GB SO-DIMM筆記本和一體機(jī)內(nèi)存條，并計(jì)劃在今年底將其容量翻番到4Gb。
          

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            三星電子
                        內(nèi)存
                        30nm
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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