解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

　　摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中，一直引領著世界半導體產(chǎn)業(yè)向實現(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟效益前進。然而，隨著半導體技術逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國際半導體技術路線圖組織(ITRS)在2005年的技術路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結合的發(fā)展趨勢，并認為“后摩爾定律”在應用中的比重會越來越大。

　　后摩爾定律是摩爾定律的生命延續(xù)

　　ITRS組織針對半導體產(chǎn)業(yè)近期(2007～2015年)和遠期(2016～2022年)的挑戰(zhàn)，在技術路線制定上，提出選擇兩種發(fā)展方式：一是，繼續(xù)沿著摩爾定律按比例縮小的方向前進，專注于硅基CMOS技術;二是，按“后摩爾定律”的多重技術創(chuàng)新應用向前發(fā)展，即在產(chǎn)品多功能化(功耗、帶寬等)需求下，將硅基CMOS和非硅基等技術相結合，以提供完整的解決方案來應對和滿足層出不窮的新市場發(fā)展。其中，“后摩爾定律”技術被業(yè)界認為，其在IC產(chǎn)品創(chuàng)新開發(fā)中的比重將越來越凸顯。

　　“后摩爾定律”的實質是，它除了會延續(xù)摩爾定律對集成度、性能的追求外，還會利用更多的技術，例如模擬/射頻、高壓功率電源、MEMS傳感器、生物芯片技術及系統(tǒng)級封裝(SiP)等三維(3D)集成技術，以提供具有更高附加價值的系統(tǒng)。

　　“后摩爾定律”對半導體技術產(chǎn)業(yè)化發(fā)展具有強大的推動力。它一方面使半導體技術從過去投入巨額資金追隨工藝節(jié)點的推進，轉到投資市場應用及其解決方案上來;同時，從過去看重系統(tǒng)中的微處理器和存儲器技術的發(fā)展趨勢，轉向封裝技術、混合信號技術等綜合技術創(chuàng)新;從過去的半導體公司與客戶、供應商之間的一般買賣關系，轉向建立緊密的戰(zhàn)略聯(lián)盟，形成大生態(tài)系統(tǒng)的關系;尤其是，3D集成技術中的硅直通孔(Through-Silicon Via，TSV)封裝技術，有可能引發(fā)世界半導體技術發(fā)展方式的根本性改變。

　　“后摩爾定律”對全球IC創(chuàng)新應用具有重要作用。今天，人們需要高速度、高性能和大容量，還需要節(jié)能、環(huán)保、舒適以及安全性和低成本。這些新變化、新需求在很大程度上將依賴于后摩爾定律相關技術的作用。因為它們涉及的系統(tǒng)集成產(chǎn)品，將出現(xiàn)許多異構和異質器件的多重技術結合;單純以SoC方式或難以實現(xiàn)，或成本效益不足;而“后摩爾定律”揭示的采用如SiP等3D技術、混合信號半導體技術、MEMS技術和生物技術與CMOS邏輯技術相融合，不僅提供一個完整的低成本微系統(tǒng)，而且將為全球半導體產(chǎn)業(yè)指明一條繼續(xù)前進的光明大道。

　　“后摩爾定律”與摩爾定律結合推動產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展

　　應該看到，在當今摩爾定律的演進中，基于摩爾定律與“后摩爾定律”的結合，它們的創(chuàng)新將使世界半導體技術及其應用日益呈現(xiàn)出多元化和綜合化，將極大地推動著世界半導體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

　　在半導體技術發(fā)展方面。在一個高度集成的智能化微系統(tǒng)中，處理器、存儲器和邏輯電路是屬摩爾定律的范疇，而集成的無線電、電源管理、傳感器等模塊是屬“后摩爾定律”的范疇。

　　其中，在摩爾定律的范疇，ITRS指出，2010年的技術節(jié)點是45納米，2013年為32納米，到2015年將進一步縮小為25納米，2016年為22納米;估計到2018年將會接近硅CMOS技術的極限。其內(nèi)容包括設計方法、系統(tǒng)級設計、邏輯電路和物理設計、設計驗證、可測試設計、可制造設計等6個領域。另外，在新的工藝和新材料方面將來也會取得突破性進展，如溝道替換、絕緣體上硅等新技術，包括除高K金屬柵材料外的其他新材料等。至于未來元器件類型的新結構，ITRS雖增加了新型元器件的章節(jié)，但僅停留在探索層面上，還沒有制定路線圖。

　　在“后摩爾定律”范疇，ITRS指出，在當今的智能化微系統(tǒng)芯片開發(fā)中，尤其是，無線電領域新興應用不斷出現(xiàn)，有越來越多采用包括非CMOS的新器件集成的多重技術將會進入3D集成時代。

　　3D集成實際上是一種系統(tǒng)級集成結構，其中的TSV技術，是芯片制造與封裝技術相融合的集成技術。據(jù)市場研究機構Yole Developpement統(tǒng)計，到2013年，59%的3D系統(tǒng)級集成結構，將采用多層平面器件的堆疊形式，并經(jīng)由穿透硅通孔(TSV)的半導體工藝連接起來;到2015年，3D-TSV晶圓的出貨量將達數(shù)百萬片，并可能對25%的存儲器業(yè)務產(chǎn)生影響。2015年，除了存儲器，3D-TSV晶圓在整個半導體產(chǎn)業(yè)的份額也將超過6%。同時，還將促進相關設備和材料的推陳出新，它們的市場規(guī)模也將分別在2013年和2015年達到10億美元。

　　3D集成技術首先將在圖像傳感器、MEMS器件、生物醫(yī)學器件及其與邏輯(ASIC)包括3D-SoC/SiP的整合等應用突破，然后將進入諸如信息家電、便攜式手持設備、無線移動終端、汽車、醫(yī)療、工業(yè)自動化、環(huán)保和安防系統(tǒng)等半導體各個領域，并不斷增長而得到越來越廣泛的應用。

　　在技術的創(chuàng)新應用方面。ITRS認為，半導體集成電路市場的發(fā)展在很大程度上是個人計算機、數(shù)字電視和手機受終端及系統(tǒng)應用驅動。目前，在全球“新能源”和“物聯(lián)網(wǎng)”的興起及其發(fā)展的大趨勢下，世界半導體市場呈現(xiàn)著三大發(fā)展趨勢：一是綠色化，二是無線網(wǎng)絡化，三是健康安全化。這更為世界IC產(chǎn)品帶來了層出不窮的創(chuàng)新空間，如以云計算為標志的高性能的安全計算機和服務器領域，以3G及今后的4G無線寬帶網(wǎng)絡通信基礎設施及相應終端為代表的新一代無線通信領域，以風能、核能和太陽能為標志的新能源領域，以信息傳感和控制設備為標志的工業(yè)化與信息化融合領域，以電力電子為代表的智能電網(wǎng)及其控制領域，還包括以新能源汽車和醫(yī)療電子為代表的領域等。

　　這種越來越多終端及系統(tǒng)領域的“應用”驅動趨勢，大大促使了摩爾定律與“后摩爾定律”的結合，其中“后摩爾定律”將起著不可替代的作用。應該看到，上述領域，離不開無線電的模擬/射頻技術、混合信號半導體技術、高壓功率電源技術，以及MEMS傳感器、生物芯片技術和3D集成技術;當然也離不開它們與CMOS邏輯技術相融合的發(fā)展。

　　“后摩爾定律”提出和實施是ITRS對技術進步的貢獻

　　ITRS對全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預測作用，是被業(yè)界廣泛認同的。其提出的“后摩爾定律”的宗旨，是致力于找到產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展所面臨的瓶頸，找到解決方法。其本質是持續(xù)創(chuàng)新與不斷變革。其主要貢獻：

　　一是，它不僅營造了全球半導體產(chǎn)業(yè)新的增長點，而且在信息技術與通信技術相融合的領域，具有培育起新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的巨大現(xiàn)實和潛在驅動力。

　　二是，它為如中國為代表的發(fā)展中國家，在新興市場中應對挑戰(zhàn)、持續(xù)推進本國半導體產(chǎn)業(yè)、建立自主可控的創(chuàng)新體系指明了一條產(chǎn)品多功能化、以成本為推動力的高效路徑?？傊?，“后摩爾定律”告知世界，全球半導體行業(yè)是一個充滿了活力和創(chuàng)造力的行業(yè)，摩爾定律揭示的創(chuàng)新精神，將不斷地推動行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新。