英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片

　　英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。

　　新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息，存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。

　　兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。

　　兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計(jì)將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單元存儲(chǔ)2位信息的NAND芯片相比，存儲(chǔ)容量相同的新型芯片的尺寸減少約20%。美光NAND戰(zhàn)略營(yíng)銷主管凱文•基爾巴克(Kevin Kilbuck)說，“我們?cè)谠黾哟鎯?chǔ)密度的同時(shí)，能夠降低制造成本，增加存儲(chǔ)容量。”

　　但是，存儲(chǔ)密度的提高是有代價(jià)的?；鶢柊涂苏f，“新型芯片寫入信息的次數(shù)有所減少。”