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          惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

          作者: 時間:2010-09-01 來源:新浪科技 收藏

            據(jù)國外媒體報道,惠普周二宣布與韓國半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代技術(shù)電阻式并將其推向市場。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/112265.htm

            據(jù)一份聲明顯示,兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù),實現(xiàn)電阻式()技術(shù)的商業(yè)化。將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低,速度更快,而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?;萜战衲甏杭痉Q表示,憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。

            技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。還可以模擬Flah、DRAM甚至硬盤??傊?,ReRAM可以成為通用存儲管道。

            惠普表示,憶阻器能夠在斷電的狀態(tài)下存儲信息,而且能耗極低。這就意味著筆記本電腦運(yùn)行速度可以更快,一次充電使用時間更長??紤]到如今智能手機(jī)應(yīng)用的繁多,這一技術(shù)也將大大延長智能手機(jī)的使用時間。

            在未來,由于計算和存儲功能能夠在同一個芯片上實現(xiàn),筆記本電腦和手機(jī)將會變得輕薄得多,而且比現(xiàn)在運(yùn)行快得多。



          關(guān)鍵詞: 海力士 內(nèi)存 ReRAM

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